[发明专利]通孔形成方法有效
| 申请号： | 200710094499.7 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459122A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;何德飚;韩宝东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件通孔形成方法，其特征在于，包括：
在半导体基底上形成接触层，所述半导体基底内已形成掺杂扩散区；
在所述接触层上形成介质层；
图形化所述介质层，以形成暴露部分接触层的接触孔；
去除暴露的所述部分接触层的表层，剩余的所述部分接触层具有满足产品要求的厚度；
填充所述接触孔，以形成通孔。
2.根据权利要求1所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：所述接触层包含CoSi、NiSi或TiSi。
3.根据权利要求1所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：在所述接触层上形成介质层的步骤包括：
在所述接触层上形成刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层上形成介质层。
4.根据权利要求3所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：图形化所述介质层，以暴露部分所述接触层的步骤包括：
图形化所述介质层，并暴露部分刻蚀停止层；
去除所述部分刻蚀停止层，以暴露部分所述接触层。
5.根据权利要求3所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：所述刻蚀停止层为氮化硅或氮氧化硅。
6.根据权利要求1所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：执行去除部分所述接触层的操作时采用等离子体工艺。
7.根据权利要求1所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：执行去除部分所述接触层的操作时包含反应气体，所述反应气体包括Ar。
8.根据权利要求7所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：所述反应气体还包括O2或O3。
9.根据权利要求7所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：Ar的流量范围为10～300sccm。
10.根据权利要求8所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：O2的流量范围为10～100sccm。
11.根据权利要求8所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：O3的流量范围为10～100sccm。
12.根据权利要求1所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：执行去除部分所述接触层的操作时，反应功率范围为100～500W。
13.根据权利要求1所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：执行去除部分所述接触层的操作时，反应压力范围为10～100mT。
14.一种半导体器件通孔形成方法，其特征在于，包括：
在半导体基底上形成接触层，所述半导体基底内已形成掺杂扩散区，所述接触层具有高于产品要求的厚度；
在所述接触层上形成介质层；
图形化所述介质层，以形成暴露部分接触层的接触孔；
去除暴露的所述部分接触层的表层，剩余的所述部分接触层具有满足产品要求的厚度；
填充所述接触孔，以形成通孔。
15.根据权利要求14所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：所述接触层为CoSi、NiSi或TiSi。
16.根据权利要求14所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：在所述接触层上形成介质层的步骤包括：
在所述接触层上形成刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层上形成介质层。
17.根据权利要求16所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：图形化所述介质层，以暴露部分所述接触层的步骤包括：
图形化所述介质层，以暴露部分刻蚀停止层；
去除所述部分刻蚀停止层，以暴露部分所述接触层。
18.根据权利要求14所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：所述刻蚀停止层为氮化硅或氮氧化硅。
19.根据权利要求14所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：执行去除部分所述接触层的操作时采用等离子体工艺。
20.根据权利要求14所述的半导体器件通孔形成方法，其特征在于：执行去除部分所述接触层的操作时包含反应气体，所述反应气体包括Ar。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
