[发明专利]MOS器件制备中源漏区的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种MOS器件制备中源区和漏区的制备方法。

背景技术

现有技术中，MOS晶体管源漏区包括轻掺杂区和重掺杂区两各区域，常见的源漏注入的方法如下：

(1)先进行轻掺杂注入，形成轻掺杂区。具体在CMOS器件制备中，分别进行NMOS区的轻掺杂和PMOS区的轻掺杂(见图1和图2)，之后去掉光刻胶。

(2)淀积二氧化硅层，刻蚀在多晶硅两侧形成侧墙(见图3和图4)，以保护靠近多晶硅的轻掺杂区域在接下来的重掺杂中不被注入。

(3)接下来分别进行NMOS区的源漏重掺杂离子注入和PMOS区的源漏重掺杂离子注入(见图5和图6)，形成重掺杂源区和漏区。

从以上的制备流程可知，传统CMOS源漏注入中包括4次光刻工艺和一次侧墙成长工艺，其制被成本相对较高。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种MOS器件中源漏区的制备方法，其能降低源漏区注入的制备的成本。

为解决上述技术问题，本发明的MOS器件制备中源漏区的制备方法，包括如下步骤：(1)在形成多晶硅栅极后，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区；(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅；(3)轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区。

本发明的CMOS器件制备中源漏区的制备方法，包括如下步骤：(1)在形成多晶硅栅极之后，用光刻胶光刻曝出NMOS区或PMOS区，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区；(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅；(3)轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区，最后去除光刻胶；(4)用光刻胶光刻曝出PMOS区或NMOS区，重复实施步骤(1)至(3)，完成源区和漏区的注入。

本发明利用多晶硅栅极实现一种源漏区的制备。通过先进行源区和漏区离子注入形成重掺杂注入区，并保留光刻胶，然后通过各向同性刻蚀工艺将多晶硅栅极两边各刻蚀掉一部分，最后再进行轻掺杂注入和去胶的工艺。本发明不仅可以节省两次光刻(即N轻掺杂前的光刻和P轻掺杂前的光刻)，并且不需要重新制备侧墙，节省了工艺步骤，大大节约了制备成本。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1为现有工艺中N轻掺杂注入的结构示意图；

图2为现有工艺中P轻掺杂注入的结构示意图；

图3为现有工艺中生长二氧化硅后的结构示意图；

图4为现有工艺形成侧墙后的结构示意图；

图5为现有工艺中N重掺杂注入的结构示意图；

图6为现有工艺中P重掺杂注入的结构示意图；

图7为本发明的制备方法流程图；

图8为本发明CMOS器件源漏区注入中NMOS区重掺杂注入示意图；

图9为本发明CMOS器件源漏区注入中NMOS区刻蚀部分多晶硅示意图；

图10为本发明CMOS器件源漏区注入中NMOS区轻掺杂注入示意图；

图11为本发明CMOS器件源漏区注入中PMOS区重掺杂注入示意图；

图12为本发明CMOS器件源漏区注入中PMOS区刻蚀部分多晶硅示意图；

图13为本发明CMOS器件源漏区注入中PMOS区轻掺杂注入示意图。

具体实施方式

本发明的MOS器件制备中源漏区的制备方法，包括(见图7)：

(1)在形成多晶硅栅极后，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区；

(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅，在这一步刻蚀掉的尺寸的控制根据具体器件要求，如器件设计时要求多晶硅(宽X、长Y和高Z)，而本步中刻蚀需去除的多晶硅上面为500埃，左右前后各500埃，那么在源漏注入工艺前的多晶硅刻蚀中，将多晶硅栅极的尺寸宽度控制在X+1000埃，长度控制在Y+1000埃，而高度控制在Z+500埃，而这里刻蚀去掉的尺寸也取决于具体器件设计中轻掺杂漏区的宽度；

(3)最后进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂源区和漏区。

本发明的方法应用在CMOS器件制备中的流程为：

(1)在形成多晶硅栅极之后，用光刻胶光刻曝出NMOS区，进行N+重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区(见图8)；

(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅，尺寸同上面相同(见图9)；

(3)N-轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区(见图10)，最后去除光刻胶；