[发明专利]MOS器件制备中源漏区的制备方法无效
| 申请号： | 200710094245.5 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101442009A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;熊涛;陈瑜;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 器件 制备 中源漏区 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种MOS器件制备中源漏区的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在形成多晶硅栅极后，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区；
(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅；
(3)轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区。
2、按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中多晶硅栅极的尺寸为正常器件设计的尺寸加所述步骤(2)中刻蚀所去掉的相应尺寸。
3、一种CMOS器件制备中源漏区的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在形成多晶硅栅极之后，用光刻胶光刻曝出NMOS区或PMOS区，进行重掺杂离子注入，形成重掺杂源区和漏区；
(2)用各向同性刻蚀工艺去掉部分多晶硅栅；
(3)轻掺杂离子注入形成轻掺杂源区和漏区，最后去除光刻胶；
(4)用光刻胶光刻曝出PMOS区或NMOS区，重复实施步骤(1)至(3)，完成整个CMOS器件中源区和漏区的制备。
4、按照权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中多晶硅栅极的尺寸为正常器件设计的尺寸加所述步骤(2)中刻蚀所去掉的相应尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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