[发明专利]一种Flash存储器的功耗控制方法及系统有效
申请号: | 200710094048.3 | 申请日: | 2007-08-28 |
公开(公告)号: | CN101114521A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 赵琮;苗书立;张明雄 | 申请(专利权)人: | 钜泉光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 flash 存储器 功耗 控制 方法 系统 | ||
1.一种Flash存储器的功耗控制方法,其特征在于:包括如下步骤:1)通过Flash控制器发送与其时钟同步的读指令信号;2)将该读指令信号转换为芯片启动信号,使该芯片启动信号的脉宽小于Flash控制器的时钟脉宽,且该芯片启动信号的脉宽不小于Flash存储器的最快访问时间;3)该芯片启动信号开启Flash控制器,进行Flash存储器数据的读取。
2.根据权利要求1所述的Flash存储器的功耗控制方法,其特征在于:所述的步骤2)包括:2a)将读指令信号延时;2b)将延时后的信号反向得到反向信号;2c)将该反向信号和读指令信号与运算得到芯片启动信号。
3.根据权利要求1或2所述的Flash存储器的功耗控制方法,其特征在于:所述的芯片启动信号的脉宽等于Flash存储器的最快访问时间。
4.根据权利要求1或2所述的Flash存储器的功耗控制方法,其特征在于:所述的Flash存储器的读数据信号的脉宽为Flash控制器的时钟周期的整数倍。
5.根据权利要求4所述的Flash存储器的功耗控制方法,其特征在于:所述的读数据信号的脉宽通过锁存器拓展为Flash控制器时钟周期的整数倍。
6.一种Flash存储器系统,包括中央处理单元,其特征在于:还包括Flash存储器及Flash控制器,该Flash控制器包括Flash控制器主控单元、脉宽转换单元及数据暂存单元,该中央处理单元通过总线与Flash控制器主控单元连接,Flash控制器主控单元的输出与脉宽转换单元的输入连接,脉宽转换单元的输出与Flash存储器的芯片启动端口连接,Flash存储器的读数据端口与数据暂存单元的输入连接,该数据暂存单元的输出与Flash控制器主控单元连接,中央处理单元通过Flash控制器主控单元发出读指令信号,脉宽转换单元响应该读指令信号并将其转换为芯片启动信号,使该芯片启动信号的脉宽小于Flash控制器的时钟脉宽,该芯片启动信号的脉宽不小于Flash存储器自身预设的最快访问时间,Flash存储器响应该芯片启动信号并开启,开始进行数据读取,该数据暂存单元接收Flash存储器的读数据信号并将该读数据信号的脉宽拓展为Flash控制器时钟周期的整数倍。
7.根据权利要求6所述的Flash存储器系统,其特征在于:所述的脉宽转换单元包括顺次串接于Flash控制器主控单元和Flash存储器之间的延时单元、反相器单元及与运算单元。
8.根据权利要求6或7所述的Flash存储器系统,其特征在于:所述数据暂存单元为锁存器。
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