[发明专利]制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法

权利要求书

1.一种制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，包含有：

提供半导体基底、栅极介电层位于该半导体基底上，以及栅极位于该栅极介电层上，该半导体基底具有源极区域与漏极区域，该源极区域与该漏极区域分别位于该栅极两侧的该半导体基底中；

在该半导体基底上形成应力覆盖层并覆盖该栅极、该源极区域与该漏极区域；以及

进行惰性气体处理，以改变该应力覆盖层的应力值。

2.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该金属氧化物半导体晶体管元件为N型金属氧化物半导体晶体管元件。

3.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该金属氧化物半导体晶体管元件为P型金属氧化物半导体晶体管元件。

4.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该应力覆盖层包含有氮化硅。

5.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中在该惰性气体处理之前，该应力覆盖层具有伸张应力。

6.如权利要求5所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该惰性气体处理是用来减少该应力覆盖层的该伸张应力。

7.如权利要求5所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该惰性气体处理前的该伸张应力的应力值范围介于0.5GPa与2.5GPa之间。

8.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该惰性气体处理在化学气相沉积设备之中进行。

9.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该惰性气体处理在物理气相沉积设备之中进行。

10.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该惰性气体处理中包含有氩气与其他惰性气体。

11.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该惰性气体处理的处理功率介于0.1千瓦与10千瓦之间。

12.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中在形成该应力覆盖层之后，该方法另包含有紫外线硬化工艺、高温峰值退火工艺、激光退火工艺或电子束处理。

13.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中在该惰性气体处理步骤之后另包含有快速热处理工艺。

14.如权利要求13所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中在该快速热处理工艺步骤之后另包含有去除该应力覆盖层的步骤。

15.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该方法另包含有在该漏极区域与该源极区域形成硅化金属层的步骤。

16.如权利要求15所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该应力覆盖层在蚀刻接触洞时作为接触蚀刻停止层。

17.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该栅极的相对两侧壁上具有衬垫层。

18.如权利要求17所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该衬垫层上具有侧壁子。

19.如权利要求1所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中该方法另具有在该半导体基底中形成浅结源极延伸与浅结漏极延伸的步骤。

20.一种制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，包含有：

提供半导体基底，该半导体基底上定义有第一晶体管区域与第二晶体管区域，该第一与该第二晶体管区域上分别包含有栅极结构，各该栅极结构相对两侧的该半导体基底中具有源极区域与漏极区域；

在该第一与该第二晶体管区域中的该半导体基底上形成应力覆盖层，该应力覆盖层覆盖在该等栅极结构、该等源极区域与该等漏极区域上；以及

进行惰性气体处理，以改变该第二晶体管区域中的该应力覆盖层的应力值。

21.如权利要求20所述的制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法，其中在该惰性气体处理之前，该方法另包含有在该应力覆盖层上形成图案化硬掩模的步骤，该图案化硬掩模覆盖在该第一晶体管区域中的该应力覆盖层上，而暴露出该第二晶体管区域中的该应力覆盖层。