[发明专利]薄膜晶体管与像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构，其特征是，该像素结构包含：

一基板；

一半导体层，设置于该基板上，并包含一主动区及一储存电容区；

一源极以及一漏极，设置于该半导体层上；

一隔离层，设置于该源极、漏极以及半导体层上；

一栅极，设置于该隔离层上并位于所述的主动区上方；

一介电层，设置于该栅极上；

一屏蔽层，设置于该介电层上，并包含一接触窗，该接触窗以暴露所述的漏极；及

一导电层，设置于所述的屏蔽层上，并通过所述的接触窗与所述的漏极电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征是，该像素结构还包含：

一电容电极，设置于所述的隔离层上并位于所述的储存电容区上方。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征是，所述的主动区包含一第一主动区以及一第二主动区，且所述的栅极具有一第一部以及一第二部，该第一部及第二部分别位于所述的第一主动区及第二主动区上方。

4.如权利要求3所述的像素结构，其特征是，所述的第一主动区及第二主动区分别为一轻离子掺杂区。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征是，所述的储存电容区为一重离子掺杂区。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征是，所述的隔离层的厚度范围介于600与1200之间。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征是，所述的介电层的厚度介于1000与6000之间。

8.一种像素结构制造方法，其特征是，该像素结构制造方法包含：

提供一基板；

形成一半导体层于该基板上；

形成一源极及一漏极于该半导体层上；

形成一隔离层于该源极及漏极上；

形成一栅极及一电容电极于该隔离层上；

形成一介电层于该栅极及该电容电极上；

形成一屏蔽层于该介电层上；

形成一接触窗于于所述的漏极上方以暴露该漏极；及

形成一导电层于所述的屏蔽层上并通过所述的接触窗与所述的漏极电性连接。

9.如权利要求8所述的像素结构制造方法，其特征是，形成所述的半导体层的步骤包含：

沉积一半导体薄膜于所述的基板上；

形成一第一光刻胶屏蔽于该半导体薄膜上；

利用一第一掩膜对该第一光刻胶屏蔽进行一光刻工艺，形成一已图案化的第一光刻胶屏蔽；

通过该已图案化的第一光刻胶屏蔽对所述的半导体薄膜进行一第一离子注入以形成一储存电容区；及

移除所述的已图案化的第一光刻胶屏蔽，形成所述的半导体层。

10.如权利要求9所述的像素结构制造方法，其特征是，所述的第一光刻胶屏蔽为一半调掩膜，包含一遮光区及一半穿透区分别对应所述的已图案化的第一光刻胶屏蔽的一第一厚度以及一第二厚度，其中该第一厚度大于该第二厚度。

11.如权利要求9所述的像素结构制造方法，其特征是，所述的第一离子注入为一p+离子注入是在所述的半导体层上对应区域形成一p+离子区域，其中该p+离子注入浓度介于1E18与1E21atom/cm³之间。

12.如权利要求11所述的像素结构制造方法，其特征是，该像素结构制造方法进一步包括进行一活化工艺，活化所述的p+离子区域。

13.如权利要求12所述的像素结构制造方法，其特征是，所述的活化工艺的温度介于摄氏550度与摄氏1000度之间。

14.如权利要求9所述的像素结构制造方法，其特征是，形成所述的源极及所述的漏极的步骤包含：

沉积一第一金属层于所述的半导体层上；

沉积一第二光刻胶屏蔽于该第一金属层上；

利用一第二掩膜对该第二光刻胶屏蔽进行一光刻工艺，形成一已图案化的第二光刻胶屏蔽；

移除未被该已图案化的第二光刻胶屏蔽遮蔽的局部的所述的第一金属层；及

移除所述的已图案化的第二光刻胶屏蔽，形成所述的源极及所述的漏极。