[发明专利]多芯片堆叠结构及其制法有效
申请号: | 200710089491.1 | 申请日: | 2007-03-26 |
公开(公告)号: | CN101276762A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 黄荣彬;张锦煌;黄建屏;刘正仁;萧承旭 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/367 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 堆叠 结构 及其 制法 | ||
1. 一种多芯片堆叠结构的制法,包括:
提供一具芯片座及多个导脚的导线架,以于该芯片座的两表面上分别接置有第一芯片及第二芯片;
将该导线架置于一设有凹穴的加热块上,以使其导脚架撑于该加热块上并使该第二芯片容置于该凹穴中;
进行第一打线作业,以使该第一芯片通过第一焊线而电性连接至该导脚,同时对应连接有该第一焊线的导脚一侧设置至少一凸块;
将该导线架反置以通过该凸块架撑于该加热块上,并使该第一芯片及第一焊线容置于该加热块的该凹穴中;以及
进行第二打线作业,以使该第二芯片通过第二焊线而电性连接至该导脚。
2. 根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该导脚内端设有焊接区域,以供接着第一焊线、第二焊线及凸块。
3. 根据权利要求2所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该凸块的高度大于该导脚焊接区域间的第一焊线高度。
4. 根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该第一与第二焊线接置于导脚上的接置点约位于同一垂直线上。
5. 根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该凸块利用打线机的焊嘴将金线熔成球状而形成至少一金凸块于该导脚上邻接该缝接焊点或直接接置于该缝接焊点上。
6. 根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该凸块选择为单一或多个而设于该焊线缝接焊点的顶缘、对称两侧、同一侧或交错两侧。
7. 根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该凸块具有多个且相互堆叠。
8. 根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该第一及第二焊线具有相同的线长。
9. 一种多芯片堆叠结构的制法,包括:
提供一具芯片座及多个导脚的导线架,以于该芯片座一表面上接置第一芯片,且进行第一打线作业,以使该第一芯片通过第一焊线而电性连接至该导脚,同时对应连接有该第一焊线的导脚一侧设置至少一凸块;
将该导线架反置以通过该凸块架撑于一设有凹穴的加热块上,并使该第一芯片及第一焊线容置于该加热块的该凹穴中;以及
于该芯片座另一表面上接置第二芯片,且进行第二打线作业,以使该第二芯片通过第二焊线而电性连接至该导脚。
10. 根据权利要求9所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该导脚内端设有焊接区域,以供接着第一焊线、第二焊线及凸块。
11. 根据权利要求9所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该凸块的高度大于该导脚焊接区域间的第一焊线高度。
12. 根据权利要求9所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该第一与第二焊线接置于导脚上的接置点约位于同一垂直线上。
13. 根据权利要求9所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该凸块利用打线机的焊嘴将金线熔成球状而形成至少一金凸块(Au stud)于该导脚上邻接该缝接焊点或直接接置于该缝接焊点上。
14. 根据权利要求9所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该凸块选择为单一或多个而设于该焊线缝接焊点的顶缘、对称两侧、同一侧或交错两侧。
15. 根据权利要求9所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该凸块具有多个且相互堆叠。
16. 根据权利要求11所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该第一及第二焊线具有相同的线长。
17. 一种多芯片堆叠结构,包括:
一导线架,该导线架具有一芯片座及多个导脚,且该导脚的内端设有焊接区域;
多个芯片,其分别接置于该芯片座相对的二表面上;
焊线,其用以电性连接该些芯片至该导脚的焊接区域;以及
至少一凸块,其形成于该导脚的焊接区域上,且该凸块的高度大于该导脚焊接区域间的焊线高度。
18. 根据权利要求17所述的多芯片堆叠结构,其中,该焊线为金线,其利用一打线机于芯片上形成一球型接点及于导脚的焊接区域上形成一缝接焊点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710089491.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造