[发明专利]形成半导体存储器件位线的方法

权利要求书

1.一种形成半导体存储器件位线的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成第一绝缘层；

蚀刻所述第一绝缘层的区域以形成暴露部分所述半导体衬底的接触孔；

在所述接触孔上形成阻挡层；

在所述阻挡层上和所述接触孔中沉积低电阻钨层以形成接触塞；

实施化学机械抛光(CMP)工艺以抛光所述低电阻钨层，而不暴露所述低电阻钨层下的阻挡层；和

将所述低电阻钨层图案化为包括位线和接触塞的位线金属图案。

2.权利要求1的方法，其中所述低电阻钨层形成的厚度为1500～2000埃。

3.权利要求1的方法，其中所述低电阻钨层的电阻值为9～12Ω·μm。

4.权利要求1的方法，其中在钨沉积步骤的成核步骤中，通过掺杂B₂H₆或SiH₄或二者而形成所述低电阻钨层，以增加块体钨的晶粒尺寸。

5.权利要求1的方法，其中使所述低电阻钨层图案化包括：

在所述低电阻钨层上形成包括SiON层、α-碳层和抗反射层的硬掩模图案；和

使用所述硬掩模图案蚀刻所述低电阻钨层。

6.权利要求1的方法，还包括在形成所述位线后通过HDP工艺或SOG工艺形成第二绝缘层。