[发明专利]等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置，更具体地，涉及一种能够提供压缩气体(pressure gas)同时防止堆积在室的底部的颗粒飞起的等离子体处理装置。

背景技术

传统的等离子体处理装置(诸如蚀刻装置、离子注入装置、溅射装置或者低压CVD装置)将处理室的内部形成为真空环境并且对要处理的对象进行预定的等离子体处理。在进行处理时处理室被保持在真空状态，但是在进行维修工作时处理室应当改变为大气状态然后打开。因此，处理室包括用于排空处理室的排气部，以及用于将压缩空气(诸如氮)供应到处理室中以将室的内部恢复为大气压的进气部。

此外，一旦处理室的内部被恢复为大气压以将待处理的对象带入或带出处理室时，所述内部应该被排空至用于下次处理的预定真空水平，由此进行排出处理花费了相当多的时间。

因此，通常提供与处理室相比较具有较小容积的真空交换室(load lock chamber)。在这种情况下，由于仅真空交换室可改变为大气压或真空状态，因此可提高该处理的收益。

因此，当待处理的对象被带入或带出室，真空交换室应该被反复地变为大气和真空环境。为达到此目的，真空交换室包括用于排空所述室的内部的排气部和用于向其提供压缩气体的进气部。

但是，在等离子体处理期间产生的反应产物以及产生自运送或驱动装置的颗粒通常残留在处理室或者真空交换室(下文中，称作“室”)内。随着时间的过去，颗粒堆积在室的底部上。

因此，在向室供以压缩气体以将所述内部恢复为大气压时产生的气流吹掉了堆积在所述室中的颗粒，然后，被吹掉的颗粒可能粘附到对象上。

如图1所示，为了解决上述问题，传统技术提出了一种改进的室10，所述改进的室包括穿过室的底部安装并且从室的底部突出至某个高度的进气部20。即，形成在进气部20的一端处用于排出压缩气体的开口被设置成比堆积在室底部的颗粒高，以便防止颗粒被所提供的压缩气体吹掉。

但是，尽管这个改进的传统技术能防止进气处理期间颗粒被压缩气体的气流直接吹掉，但是仍然不能防止由于供给压缩气体时所产生的滞流S而导致的颗粒飞起。

如图2所示，压缩气体穿过进气部20被供应到所述室中。此时，滞流S形成在进气部20周围，并且同时沿着室壁传播。还已经确定，这种滞流S导致堆积在室底部上的颗粒飞起。另外，在排出处理期间也发生了同样的现象。

而且，堆积在室的底部上的颗粒仍然不能被排出。

发明内容

为了解决前面提到的问题，构思本发明。因此，本发明的一个目的是提供一种等离子体处理装置，该装置能够提供压缩气体同时防止堆积在室的底部上的颗粒飞起。

本发明的另一个目的是提供一种等离子体处理装置，该装置能够排出堆积在室底部上的颗粒。

为了实现所述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种等离子体处理装置，该装置包括：室；进气/排气部，设置在室的底部以向室供以压缩气体，该进气/排气部被构造成使得其内径向上增加；以及压缩气体源，连接至进气/排气部以向其提供压缩气体。更具体地，等离子体处理装置可以进一步包括连接至进气/排气部以排空所述室的真空源。

优选地，等离子体装置可以进一步包括用于选择性地将进气/排气部与压缩气体源或真空源连接的阀。因此，进气/排气部可以实施提供和排出压缩气体功能中的任一个功能或两个功能。

另外，优选地，至少一个排出孔形成在进气/排气部的侧部内以排出堆积在室的底部上的颗粒。

根据本发明的另一个方面，提供了一种等离子体处理装置，该装置包括：室；进气部，设置在室的底部以向室供以压缩气体，并且被构造成使其内径向上增加；压缩气体源，连接至进气部以向其提供压缩气体；排气部，设置在室的底部以排空所述室，并且被构造成使其内径向上增加；以及真空源，连接至排气部。即，该装置的特征在于，进气部和排气部被分别设置，所述进气部和排气部设置在室的底部并且被构造成使得其内径向上增加。

因此，可以只在排气部中形成排出孔，堆积在室的底部上的颗粒通过所述排出孔排出。

附图说明

图1是示出了传统的等离子体处理装置的截面视图。

图2是示出了图1的等离子体处理装置的操作状态的视图。

图3是示出了根据本发明的等离子体处理装置的截面视图。

图4至图6是示出了相当于图3的等离子体处理装置的基本部的进气/排气部的各种实例的截面视图。

图7示出了根据本发明的另一个实施例的等离子体处理装置。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施例。