[发明专利]半导体发光装置及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光装置及其制作方法，特别是一种半导体发光装置及其制作方法。

背景技术

发光二极管由于具有省电、低驱动电压、寿命长以及环保等优点，因而普遍应用于各种照明设备以及液晶显示器的背光源上，并成为目前非常重要的发光装置之一。

目前所使用的发光二极管的封装方法，多为在发光组件上覆盖树脂，以保护发光组件。该树脂的折射率大多小于1.5，而该发光组件的折射率约介于2.5与4.0之间，两者的折射率存在着相当大的差距。当发光组件与树脂间的折射率差距过大时，将导致发光组件内的全反射角过小，从而使发光组件所发出的光容易在发光组件内发生全反射，而不容易发射到发光组件外。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高发光组件内全反射角的半导体发光装置及其制作方法。

本发明一实施例中，公开了一种半导体发光装置。该半导体发光装置至少包含发光组件、透明胶材以及透明薄膜。该发光组件位于一封装承载座中，该透明胶材覆盖该发光组件。该透明薄膜位于该发光组件与该透明胶材之间，且该透明薄膜的折射率介于该发光组件与该透明胶材的折射率之间。

本发明另一实施例中，公开了一种半导体发光装置的制作方法。该制作方法包含如下步骤：首先，形成发光组件于封装承载座中。而后，在该发光组件的表面形成一层透明薄膜。最后，填充透明胶材至该封装承载座中，以覆盖该发光组件。其中，该透明薄膜的折射率介于该发光组件与该透明胶材的折射率之间。

本发明实施例所公开的半导体发光装置，通过形成该透明薄膜，以增加发光组件内的全反射角的角度，从而改善发光组件内发生全反射的情形，进而让更多的光从发光组件发射出去。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明一实施例中的半导体发光装置的剖面构造示意图。

其中，附图标记：

100-半导体发光装置

102-封装承载座

110-发光组件

112-基材

114-N型半导体组件

116-P型半导体组件

118-电极

120-透明薄膜

130-散热装置

140-导线

142-外部电路

160-透明胶材

170-荧光材料

具体实施方式

图1为本发明一实施例中的半导体发光装置的剖面构造示意图。在图1中，半导体发光装置100至少包含有发光组件110、透明胶材160以及透明薄膜120。该发光组件110位于一封装承载座102中。该透明胶材160充填于该封装承载座102中，且覆盖该发光组件110。该透明薄膜120位于该发光组件110与该透明胶材160之间，且其折射率介于该发光组件110与该透明胶材160的折射率之间。

该发光组件110可包含基材112、N型半导体组件114、P型半导体组件116以及电极118。该基材112的材料可为如蓝宝石(sapphire)。该N型半导体组件114以及该P型半导体组件116的主要材料可为如氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓、砷化镓、磷化镓、砷化铝镓(AlGaAs)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、硒化锌(ZnSe)或碳化硅(SiC)，其折射率约为2.5～4.0。该N型半导体组件114与该P型半导体组件116的位置可互换，两者之间还可以包含多重量子阱(multiple quantum well；MQW)材料层(未示出)，其材料可为如Ga_xIn_1-xN、Al_xGa_1-xN或(Al_yGa_1-y)_xIn_1-xP。该电极118位于该N型半导体组件114与该P型半导体组件116的表面，并通过导线140连接外部电路142。该外部电路142可具有一电源与一电源开关控制器，电源可提供该发光组件110电流以进行发光。该发光组件110仅用于示例，本发明中并不对该发光组件110的构造做任何限制。