[发明专利]半导体发光装置及其制作方法

权利要求书

1. 一种半导体发光装置，其特征在于，至少包含：

一发光组件，位于一封装承载座中；

一透明胶材，覆盖该发光组件；

至少一透明薄膜，位于该发光组件与该透明胶材之间，且该透明薄膜的折射率介于该发光组件与该透明胶材的折射率之间。

2. 如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，该至少一透明薄膜选自由钻石膜、类钻石膜、氮化铝膜、氮化硼膜及前述的组合所构成的族群。

3. 如权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于，由该钻石膜或/和该类钻石膜所构成的该至少一透明薄膜的总厚度约为500～10000埃，以使该发光组件所发出的光线穿透该至少一透明薄膜。

4. 如权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于，该类钻石膜的折射率约为1.7～2.4。

5. 如权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于，由该氮化铝膜和/或氮化硼膜所构成的该至少一透明薄膜的总厚度约为50～10000nm，以使该发光组件所发出的光线穿透该至少一透明薄膜。

6. 如申权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，该发光组件包含：

一基材；

一N型半导体组件，位于该基材上；

一P型半导体组件，位于该N型半导体组件上；

多个电极，位于该N型半导体组件与该P型半导体组件的表面。

7. 如权利要求6所述的半导体发光装置，其特征在于，该N型半导体组件与该P型半导体组件的主要材料选自由氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓、砷化镓、磷化镓、砷化铝镓、磷化铝镓铟、硒化锌及碳化硅所构成的族群。

8. 如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，还包含至少一散热装置，以降低使用过程中该发光组件的温度。

9. 一种半导体发光装置的制作方法，其特征在于，包含步骤：

形成一发光组件于一封装承载座中，其中该发光组件具有一第一折射率；

形成至少一透明薄膜于该发光组件的表面，且该透明薄膜具有一第二折射率；

填充具有一第三折射率的一透明胶材至该封装承载座中，以覆盖该发光组件，其中该第二折射率介于该第一折射率与该第三折射率之间。

10. 如权利要求9所述的半导体发光装置的制作方法，其特征在于，该至少一透明薄膜的形成方法为溅射法、蒸发法或离子增长型化学汽相沉积法。