[发明专利]钒银低熔玻璃和含有该玻璃的导电浆料

说明书

技术领域

本发明涉及一种钒银低熔玻璃和含有该低熔玻璃的导电性电子浆料。主要用于制作各种电子元器件中的导电性部件，由导电的功能性粉体、有机载体和高温烧结时起粘接作用的低熔玻璃三部分组成。低熔玻璃在电子浆料烧结时熔融软化起粘接作用。

背景技术

目前用作电子浆料中粘接相的低熔玻璃大多数是铅硼酸盐和铅硅酸盐玻璃。由于铅对环境和人体的危害，各种电子元器件均要求无铅化，因此，寻求无铅低熔玻璃取代现用含铅玻璃具有重要的意义。

另外，电子元器件在保证器件性能的前提下，要求制作工艺中的烧结温度越低越好。目前涉及到厚膜电子浆料制作电子元器件的烧结温度都在420℃以上。比如有些新型光电子器件在基材上有光学薄膜，而光学薄膜耐受的破坏温度不高，因此，在保证器件性能的前提下，需求具有更低玻璃转变温度的低熔玻璃便于节能和简化工艺。

一般封接温度高于600℃可以采用以SiO₂或B₂O₃为玻璃形成体的组成体系，而烧结温度低于600℃难以达到无铅化的要求。目前有关封接温度低于600℃无铅低熔玻璃的专利报道主要有：

加拿大专利CA2409527报道了一种质量百分数为P₂O₅30～50％，Al₂O₃15～30％，Na₂O+Li₂O2～40％的无铅无镉低熔玻璃。

美国专利US20020019303报道了一种摩尔百分数为30～80％SnO，5.5～20％SiO₂，10～50％P₂O₅的硅磷酸盐低熔封接玻璃。

日本ASAHI TECHNO GLASS CORP公司申请专利JP2004059367和特开2003-238199报道了质量百分数为20～68％SnO，2～8％SnO₂，20～40％P₂O₅的无铅低熔玻璃。

加拿大MOBAY CHEMICAL CORP公司申请专利CA1193289和US4376169(A1)报道了一种质量百分数组成为Na₂O 2～9％，Li₂O 2～7％，B₂O₃23～34％，Al₂O₃2～4％，SiO₂30～45％，F 0.75～4％，P₂O₅2-4％，ZnO 4～8％，TiO₂2～5％的无铅低熔玻璃。

日本FUTABADENSHI KOGYO KK公司申请专利JPJP2004119320，US2004071925(A1)和DE10345248(A1)报道了一种用于真空荧光显示器封接的P₂O₅-SnO₂体系无铅封接玻璃。另外，日本电气硝子专利特开2001-379939、日本旭硝子专利特开2001-302279、美国专利US20040071925和日本专利JP2003238199也报道了P₂O₅-SnO₂体系无铅封接玻璃。

日本专利特开平9-208259报道了一种组成质量百分数为：P₂O₅10～70％，WO₃20～80％，SiO₂，Li₂O 0～40％，Na₂O 0～40％，Na₂O+Li₂O 0.1～40％的无铅低熔玻璃。

日本专利特开2003-34550报道了一种质量百分数为Bi₂O₃55～88％，B₂O₃5～30％，ZnO0～20％，外加少量SiO₂和Al₂O₃的无铅玻璃。日本专利特开2000-36220也报道了近似组成的铋硼酸盐低熔玻璃。