[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

通过蚀刻已经提供有存储节点接触区域和位线接触区域的衬底来形成第 一沟槽；

在第一沟槽的侧壁上形成保护层；

在衬底上方形成牺牲层并填充第一沟槽；

蚀刻牺牲层以使部分牺牲层保留在衬底的位线接触区域中的第一沟槽 中；

通过蚀刻第一沟槽下方的衬底形成水平延伸的第二沟槽；和

填充第一和第二沟槽以形成隔离结构。

2.权利要求1的方法，其中蚀刻牺牲层包括：

形成覆盖位线接触区域并打开牺牲层上方的存储节点接触区域的光刻胶 图案；和

利用光刻胶图案来蚀刻牺牲层。

3.权利要求2的方法，其中形成光刻胶图案包括形成线型光刻胶图案，以 覆盖位线接触区域中衬底的上部和位线接触区域中第一沟槽的上部。

4.权利要求1的方法，其中形成第二沟槽包括使用与在蚀刻牺牲层中使用 的相同装置，而不施加偏压功率。

5.权利要求1的方法，其中牺牲层包括基于氧化物的层。

6.权利要求1的方法，还包括在形成第一沟槽之前，在衬底上方形成第一 氮化物层。

7.权利要求6的方法，其中形成保护层包括：

在第一沟槽和第一氮化物层上方形成第二氮化物层；和

在第二氮化物层上实施回蚀刻过程。

8.权利要求1的方法，其中蚀刻第一沟槽下方的衬底包括实施各向同性蚀 刻过程，所述各向同性蚀刻过程包括毯覆式回蚀刻过程。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

蚀刻衬底以形成第一沟槽，所述第一沟槽在第一方向上延伸；

在第一沟槽的第一和第二侧壁上形成第一和第二保护层；

在衬底上方形成介电层以填充第一沟槽，所述介电层包括提供在第一保 护层上的第一部分和提供在第二保护层上的第二部分；

蚀刻介电层以暴露出提供在第一沟槽下侧上的部分衬底，介电层的第一 部分保留在第一保护层上；

蚀刻衬底以在第一沟槽下方形成在第二方向上延伸的第二沟槽；和

填充第一和第二沟槽以形成隔离结构。

10.权利要求9的方法，其中移除介电层的第二部分，以暴露第二保护层。

11.权利要求9的方法，其中蚀刻衬底以形成第二沟槽是通过衬底的暴露部 分来实施的。

12.权利要求9的方法，其中介电层包括基于氧化物的材料。

13.权利要求9的方法，还包括在形成第一沟槽之前，在衬底上方形成基于 氮化物的层。

14.权利要求9的方法，其中第一和第二保护层包括基于氮化物的材料。

15.权利要求11的方法，其中蚀刻衬底包括实施各向同性蚀刻过程，所述各 向同性蚀刻过程包括毯覆式回蚀刻过程。