[发明专利]用于热辅助磁记录的合金和结构设计

权利要求书

1.用于热辅助磁记录(HAMR)的磁记录介质，其包括：

磁性数据存储层，其具有许多由众多晶界相分隔的磁性晶粒，所述磁性数据存储层的所述众多晶界相具有比所述许多磁性晶粒的热导率更高的热导率；

吸热层；和

布置于所述磁性数据存储层和所述吸热层之间的一个或多个中间层，所述一个或多个中间层的每一个具有许多由众多晶界相分隔的结晶相晶粒，所述一个或多个中间层的所述众多晶界相具有比所述许多结晶相晶粒的热导率更高的热导率。

2.权利要求1所述的磁记录介质，其中所述吸热层的热导率大于所述磁性数据存储层的所述许多磁性晶粒的热导率。

3.权利要求1所述的磁记录介质，其中，对于每一个所述一个或多个中间层，所述众多晶界相的热导率高于所述磁性数据存储层的所述许多磁性晶粒的热导率。

4.权利要求1所述的磁记录介质，其中，对于每一个所述一个或多个中间层，所述众多晶界相的材料在所述结晶相晶粒的材料中具有10原子百分数以下的固溶度。

5.权利要求1所述的磁记录介质，其中，对于每一个所述一个或多个中间层，所述众多晶界相的材料在所述磁性数据存储层的所述许多磁性晶粒的材料中具有10原子百分数以下的固溶度。

6.权利要求1所述的磁记录介质，其中所述许多磁性晶粒包括选自FePt、CoPt和Co₅Sm的材料。

7.权利要求1所述的磁记录介质，其中，对于每一个所述一个或多个中间层，所述众多晶界相的材料包括无机非金属材料。

8.权利要求7所述的磁记录介质，其中，对于每一个所述一个或多个中间层，所述众多晶界相的材料选自SiC、AlN、BeO和BN。

9.权利要求1所述的磁记录介质，其中，对于每一个所述一个或多个中间层，所述众多晶界相的材料包括金属或金属合金。

10.权利要求9所述的磁记录介质，其中，对于每一个所述一个或多个中间层，所述众多晶界相的材料选自Cu、Ag、Au、W、Si、Mo、Cu合金、Ag合金、Au合金、W合金、Si合金和Mo合金。

11.权利要求1所述的磁记录介质，其中，对于每一个所述一个或多个中间层，所述众多晶界相的材料包括无机非金属材料和金属或者金属合金的组合。

12.权利要求1所述的磁记录介质，其中所述一个或多个中间层的所述许多结晶相晶粒包括柱状晶粒，所述柱状晶粒基本沿着连接所述磁性数据存储层和所述吸热层的轴取向。

13.权利要求1所述的磁记录介质，其中所述磁性数据存储层的所述众多晶界相的每一个具有比用在HAMR中的聚焦激光束的光斑尺寸小的横截面积，并且其中所述一个或多个中间层的所述众多晶界相的每一个具有比用在HAMR中的聚焦激光束的光斑尺寸小的横截面积。

14.权利要求1所述的磁记录介质，其中所述吸热层包括选自Cu、Ag、Au、W、Si、Mo、Cu合金、Ag合金、Au合金、W合金、Si合金和Mo合金的材料。

15.形成用于热辅助磁记录(HAMR)的磁记录介质的方法，所述方法包括步骤：

提供吸热层；

在所述吸热层上形成至少一个中间层，所述至少一个中间层具有由众多晶界相分隔的众多结晶相晶粒，所述至少一个中间层的所述众多晶界相具有比所述众多结晶相晶粒的热导率更高的热导率；和

在所述至少一个中间层上形成磁性数据存储层，所述磁性数据存储层具有由众多晶界相分隔的众多磁性晶粒，所述磁性数据存储层的所述众多晶界相具有比所述众多磁性晶粒的热导率更高的热导率。

16.权利要求15所述的方法，其中形成所述至少一个中间层包括在所述吸热层上溅射所述至少一个中间层。

17.权利要求15所述的方法，其中形成所述磁性数据存储层包括在所述至少一个中间层上溅射所述磁性数据存储层。

18.权利要求15所述的方法，其中所述吸热层的热导率大于所述磁性数据存储层的所述众多磁性晶粒的热导率。