[发明专利]发光二极管封装结构与其制作方法

权利要求书

1. 一种具有硅质载板的发光二极管封装结构，包含有：

硅质载板；

多个凹杯结构，位于该硅质载板的上表面；

多个导电图案，设置于该硅质载板的上表面；

多个发光二极管，分别设置于各该凹杯结构内；以及

多条导线，电性连接这些发光二极管与这些导电图案，且这些发光二极管通过这些导线与这些导电图案以串联方式电性连接。

2. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，另包含有反射层与透明绝缘层，依序由下而上设置于这些凹杯结构内的该硅质载板上。

3. 如权利要求2所述的发光二极管封装结构，另包含有多个金属凸块，设置于这些凹杯结构内的该透明绝缘层之上。

4. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中各该凹杯结构具有倾斜的侧壁。

5. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中各该相邻凹杯结构的边缘间距小于10微米。

6. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中这些导电图案环绕这些凹杯结构设置。

7. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中这些导电图案设置于各该凹杯结构之间的硅质载板上。

8. 如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其中这些导线具有约略相同方向。

9. 一种制作具有硅质载板的发光二极管结构的方法，包含有：

提供具有多个凹杯结构的硅质载板；

在该硅质载板上形成多个导电图案；

将多个发光二极管分别装设于各该凹杯结构之内；以及

利用多条导线电性连接这些发光二极管与这些导电图案，且这些发光二极管通过这些导线与这些导电图案以串联方式电性连接。

10. 如权利要求9所述的方法，其中这些凹杯结构利用蚀刻工艺形成于该硅质载板的上表面。

11. 如权利要求10所述的方法，其中该蚀刻工艺为反应离子蚀刻工艺、交替蚀刻法的等离子体离子蚀刻工艺或使用氢氧化钾溶液、氢氧化四甲基铵或乙二胺邻苯二酚为蚀刻液的湿式蚀刻工艺。

12. 如权利要求9所述的方法，另包含有形成多个导电图案之前，先在各该凹杯结构内的该硅质载板上形成反射层与透明绝缘层的步骤。

13. 如权利要求12所述的方法，另包含有在形成该反射层与该透明绝缘层之后，在这些凹杯结构内的该透明绝缘层的表面形成多个金属凸块的步骤。

14. 如权利要求13所述的方法，其中各该发光二极管利用共晶粘接法与各该凹杯结构底部的各该金属凸块接合。

15. 如权利要求13所述的方法，其中各该发光二极管利用玻璃胶粘接法与各该凹杯结构底部的各该金属凸块接合。