[发明专利]电致发光装置无效
申请号: | 200710085674.6 | 申请日: | 2007-03-06 |
公开(公告)号: | CN101064338A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 安川浩司 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H05B33/12;H05B33/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及电致发光装置。
背景技术
以往,从轻量化、薄型化、低消耗功率化等观点出发,积极开发了将有机电致发光元件设置于每个像素的显示器和曝光头等电致发光装置。这种有机电致发光元件(以下,称作“有机EL元件”),一般形成为在两个电极之间夹着由有机材料构成的发光层的结构,当搭载于显示器等中时,具备了具有上述结构的有机EL元件的像素在基板上配置为矩阵状。另外,在有源矩阵方式的发光装置中,在基板上形成有用于控制向有机EL元件供给的驱动电流的薄膜晶体管(TFT)。另外,基板在其各薄膜晶体管(TFT)上具备平坦化层,并且在该平坦化层上形成有机EL元件。
但是,上述有机EL元件容易受到水分的影响而恶化。具体而言,如果水分浸入有机EL元件,则构成发光层的材料就会变形,或发光层与电极(阴极)之间的界面剥离而向发光层无法供给来自电极(阴极)的载流子(电子)。其结果,像素的一部分或全部一直不发光而发生所谓的黑斑(暗点:dark spot)。于是存在下述问题,即当平坦化层中含有水分时,由来自薄膜晶体管或发光层的热而水分被加热,从平坦化层介由电极到达发光层,其结果就会发生黑斑(暗点)。
因此提出了在位于有机EL元件侧的平坦化层的整个面上,形成由氮氧化硅构成的具有防湿性的无机阻挡层(barrier layer),由此抑制来自平坦化层的水分浸入有机EL元件的装置(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:特开2003-297551号公报
但是,在上述文献中所记载的装置中存在下述问题,即虽然如上所述那样在平坦化层的整个面上形成有无机阻挡层,但是当在无机阻挡层上出现针孔(pinhole)等缺陷时,水分介由该缺陷浸入有机EL元件内。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供一种能够可靠地抑制因水分而导致发光特性恶化的电致发光装置。
本发明的电致发光装置,具备多个电致发光元件,该电致发光元件在基板上具备第一电极、第二电极、和配置于所述第一电极与所述第二电极之间的至少包括发光层的功能层,其特征在于,所述电致发光装置具备阻挡层,对于被划分为包括至少一个以上电致发光元件的多个组,该阻挡层针对各组的一个以上的电致发光元件,抑制来自所述基板的水分的移动,所述阻挡层,与形成有所述电致发光元件的区域对应而以岛状配置形成。
根据上述发明,由于在基板上与形成有电致发光元件的区域对应而以岛状设置阻挡层,因此在阻挡层与邻接配置的其他阻挡层之间存在未形成有阻挡层的区域。于是,如果在形成阻挡层之后且形成功能层之前的阶段,对基板进行加热,则经过未形成有所述阻挡层的区域在基板中含有的水分蒸发而被放出到外部。而且,之后在基板上形成功能层和电极来形成电致发光元件,由此能够尽量使内在于基板中的水分为少量。另外,利用位于各电致发光元件的正下方的阻挡层,抑制残留在基板中的水分即制造时未被放出外部而残留的水分浸入功能层。结果,能够可靠地抑制黑斑的发生。
另外,在本说明书中,基板是指具备了例如在无碱玻璃基板上形成有薄膜晶体管(TFT)或其他电子元件的层(电路形成层)的部件。
在该电致发光装置中,所述第二电极具有光透过性,在所述第一电极与所述阻挡层之间也可形成有光反射层,该光反射层将由所述发光层发出的光向所述第二电极侧反射。
根据上述发明,对于将由发光层发出的光在光反射层反射而从第二电极出射到外部的、所谓的顶部发射型电致发光装置,也能够可靠地抑制因该水分而导致的发光特性的恶化。
在该电致发光装置中,所述基板具备划分所述各电致发光元件的绝缘层,构成所述绝缘层的材料为与构成所述基板的材料相同的材料即可。
根据上述发明,内在于基板的水分从绝缘层表面透过而容易放出外部。从而,由于可更加减小内在于基板的水分量,因此能够更加可靠地抑制因水分而导致发光特性恶化。
在该电致发光装置中,所述阻挡层也可由氮化硅构成。
根据上述发明,能够可靠地阻止内在于基板的水分到达功能层。
在该电致发光装置中,所述阻挡层也可由氮氧化硅构成。
根据上述发明,氮化硅(SiN)具有密集的结晶结构,存在由于基板材料而弯曲(warp)之虞,但是氮氧化硅(SiON)与氮化硅(SiN)相比,应力小,因此没有弯曲之虞。从而,尤其将阻挡层能够可靠地形成于基板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的