[发明专利]电致发光装置无效
申请号: | 200710085674.6 | 申请日: | 2007-03-06 |
公开(公告)号: | CN101064338A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
发明(设计)人: | 安川浩司 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H05B33/12;H05B33/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 装置 | ||
1、一种电致发光装置,具备多个电致发光元件,该电致发光元件在基板上具备第一电极、第二电极、和配置于所述第一电极与所述第二电极之间的至少包括发光层的功能层,
所述电致发光装置具备阻挡层,对于被划分为包括至少一个以上电致发光元件的多个组,该阻挡层针对各组的一个以上的电致发光元件,抑制来自所述基板的水分的移动,
所述阻挡层,与形成有所述电致发光元件的区域对应而以岛状配置形成。
2、根据权利要求1所述的电致发光装置,其特征在于,
所述第二电极具有光透过性,
在所述第一电极与所述阻挡层之间形成有光反射层,该光反射层将由所述发光层发出的光向所述第二电极侧反射。
3、根据权利要求1或2所述的电致发光装置,其特征在于,
所述基板具备用于划分所述各电致发光元件的绝缘层,
构成所述绝缘层的材料为与构成所述基板的材料相同的材料。
4、根据权利要求1~3中任一项所述的电致发光装置,其特征在于,
所述阻挡层由氮化硅构成。
5、根据权利要求1~3中任一项所述的电致发光装置,其特征在于,
所述阻挡层由氮氧化硅构成。
6、根据权利要求2~5中任一项所述的电致发光装置,其特征在于,
所述第二电极具有光反透过性,
在所述发光层与所述第一电极之间具备光透过层,该光透过层用于调整所述第二电极与所述反射层之间的光学距离并且具有光透过性。
7、一种电致发光装置,具备电致发光元件,该电致发光元件在基板上具有第一电极、具有光透过性的第二电极、和配置于所述第一电极与所述第二电极之间的至少具有发光层的功能层,
在所述电致发光装置中形成有一个光反射层,对于被划分为包括至少一个以上电致发光元件的多个组,该光反射层针对各组的一个以上的电致发光元件,将由所述发光层发出的光向所述第二电极侧反射,
所述光反射层,与形成有所述电致发光元件的区域对应而以岛状配置形成,
将所述光反射层的膜厚制作为抑制来自所述基板的水分的移动的厚度。
8、根据权利要求7所述的电致发光装置,其特征在于,
所述光反射层由铝构成,其膜厚为100~5000。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的