[发明专利]可调式晶体管体偏置电路

权利要求书

1. 一种集成电路，其包括：

带有体端的n沟道金属氧化物半导体晶体管；和

可调式基于电荷泵的体偏置电路，其将负的体偏置电压施加到所述体端。

2. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述集成电路包括一个可编程逻辑器件集成电路，所述集成电路进一步包括：

载有配置数据的可编程单元。

3. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述可调式基于电荷泵的体偏置电路包括可调式电压调节器。

4. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述集成电路包括一个可编程逻辑器件集成电路并且其中所述可调式基于电荷泵的体偏置电路包括一个可调式电压调节器，所述集成电路进一步包括：

载有配置数据的可编程单元。

5. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述集成电路包括一个可编程逻辑器件集成电路并且其中所述可调式基于电荷泵的体偏置电路包括一个可调式电压调节器，所述集成电路进一步包括：

载有配置数据的可编程单元，其中的一些所述可编程单元产生控制所述可调式电压调节器的输出信号。

6. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述集成电路包括一个可编程逻辑器件集成电路并且其中所述可调式基于电荷泵的体偏置电路包括一个可调式电压调节器，所述集成电路进一步包括：

载有配置数据的可编程单元，其中的一些所述可编程单元产生未解码的控制信号；和

一个解码器，其接收所述未解码的控制信号并将相应的解码控制信号施加到所述可调式电压调节器。

7. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述可调式基于电荷泵的体偏置电路包括：

电荷泵电路，其产生负的电荷泵输出电压；和

可调式电压调节器，其使用所述负的电荷泵输出电压产生所述负的体偏置电压。

8. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述可调式基于电荷泵的体偏置电路包括：

电荷泵电路，其产生负的电荷泵输出电压；

可调式电压调节器，其使用所述负的电荷泵输出电压产生所述负的体偏置电压；和

带隙基准电路，其将至少一个基准信号施加到所述可调式电压调节器。

9. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述可调式基于电荷泵的体偏置电路包括：

电荷泵电路，其产生负的电荷泵输出电压，其中所述电荷泵电路包括分压器、比较器、振荡器和电荷泵；

可调式电压调节器，其使用所述负的电荷泵输出电压产生所述负的体偏置电压；和

带隙基准电路，其将至少一个基准信号施加到所述可调式电压调节器，其中所述电荷泵电路中的所述分压器通过一个反馈线路从所述电荷泵接收所述负的电荷泵输出电压，并提供一个相应的信号到所述比较器的第一输入，其中所述比较器在第二输入从所述带隙基准电路接收一个电压基准信号，其中所述比较器比较所述第一输入和第二输入，并产生控制所述振荡器的一个相应输出，并且其中所述振荡器产生给所述电荷泵的时钟信号。

10. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述可调式基于电荷泵的体偏置电路包括：

电荷泵电路，其产生负的电荷泵输出电压；和

可调式电压调节器，其包括一个可调式分压器，其中所述可调式电压调节器使用所述负的电荷泵输出电压产生所述负的体偏置电压，其中所述可调式电压调节器包括多个串联电阻和多个晶体管，其中所述晶体管带有栅极，并且连接在各自的串联电阻对之间，其中所述晶体管由施加到其栅极的控制信号控制，以在所述串联电阻中限定一个电压分接点位置。

11. 根据权利要求1所述的集成电路，其中所述集成电路包括一个可编程逻辑器件集成电路，所述集成电路进一步包括载有配置数据的可编程单元，其中所述可调式基于电荷泵的体偏置电路包括：

电荷泵，其产生负的电荷泵输出电压；和

可调式电压调节器，其包括一个可调式分压器，其中所述可调式电压调节器使用所述负的电荷泵输出产生所述负的体偏置电压，其中可调式电压调节器包括多个串联电阻和多个晶体管，其中所述晶体管带有栅极，并且连接在各自的串联电阻对之间，其中所述晶体管由施加到其栅极的控制信号控制，以在所述串联电阻中限定一个电压分接点位置，所述控制信号来自至少一些所述可编程单元。