[发明专利]电路衬底和半导体器件有效
申请号: | 200710084712.6 | 申请日: | 2007-02-26 |
公开(公告)号: | CN101128087A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 西村隆雄;合叶和之 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H05K1/18 | 分类号: | H05K1/18;H05K3/34;H05K1/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张龙哺 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 衬底 半导体器件 | ||
1.一种电路衬底,在该电路衬底上安装半导体元件,该电路衬底包括:
布线层,设置在该电路衬底表面上与该半导体元件相对的区域;
导电层,设置在该电路衬底表面上与该半导体元件相对的区域且远离该布线层;
树脂层,设置在该导电层上。
2.如权利要求1所述的电路衬底,其中,在该电路衬底表面上与该半导体元件相对的区域,该树脂层仅设置在该导电层上面。
3.如权利要求1所述的电路衬底,其中,该导电层由铜制成,并且在该导电层的表面上,按照从下层起的顺序形成镍层和金层两个金属层。
4.如权利要求1所述的电路衬底,其中,设置在该导电层上的该树脂层也覆盖该导电层的侧面。
5.如权利要求1所述的电路衬底,其中,设置在该导电层上的该树脂层以分割成多块的方式设置。
6.如权利要求1所述的电路衬底,其中,设置在该导电层上的该树脂层具有比该导电层小的面积,以露出该导电层的上边缘表面。
7.如权利要求6所述的电路衬底,其中,该露出的上边缘表面具有与该布线层相同的宽度。
8.如权利要求1所述的电路衬底,其中,从组成该电路衬底的基底部件的表面到该树脂层的表面的高度比设置在所述区域的周界部分的抗焊层的高度低。
9.一种半导体器件,包括:
半导体元件;
电路衬底,在该电路衬底上安装该半导体元件,该电路衬底包括设置在与该半导体元件相对的区域的布线层、设置在与该半导体元件相对的区域且远离该布线层的导电层、以及设置在该导电层上的树脂层;以及
粘附材料,设置在该电路衬底与该半导体元件之间。
10.如权利要求9所述的半导体器件,其中,在该电路衬底表面上与该半导体元件相对的区域,该树脂层仅设置在该导电层上面。
11.如权利要求9所述的半导体器件,其中,该导电层由铜制成,并且在该导电层的表面上,按照从下层起的顺序形成镍层和金层两个金属层。
12.如权利要求9所述的半导体器件,其中,设置在该导电层上的该树脂层也覆盖该导电层的侧面。
13.如权利要求9所述的半导体器件,其中,设置在该导电层上的该树脂层以分割成多块的方式设置。
14.如权利要求9所述的半导体器件,其中,设置在该导电层上的该树脂层具有比该导电层小的面积,以露出该导电层的上边缘表面。
15.如权利要求14所述的半导体器件,其中,该露出的上边缘表面具有与该布线层相同的宽度。
16.如权利要求9所述的半导体器件,其中,从组成该电路衬底的基底部件的表面到该树脂层的表面的高度比设置在所述区域的周界部分的抗焊层的高度低。
17.如权利要求9所述的半导体器件,其中,该导电层具有接地电位。
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