[发明专利]MOSFET器件及其制造方法无效

申请号：	200710084669.3	申请日：	2007-03-01
公开（公告）号：	CN101060134A	公开（公告）日：	2007-10-24
发明（设计）人：	布鲁斯·贝内特·多丽斯;杨美基;赵泽安;王敬	申请（专利权）人：	国际商业机器公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/49;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8239
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	李春晖
地址：	美国***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	mosfet 器件及其制造方法
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【权利要求书】：

1、一种MOSFET器件，包括：

接地层，其由单晶硅基材料形成，其中所述接地层具有浓度在1×10¹⁸/cm³到1×10²⁰/cm³之间的第一类型的掺杂剂杂质；

硅基本体层，其外延设置在所述接地层上并有与所述接地层之间的界面，其中所述本体层厚度在2nm到7nm之间，其中所述本体层具有浓度在1×10¹⁸/cm³到5×10¹⁹/cm³之间的第二类型的掺杂剂杂质，其中在所述第一类型和所述第二类型的掺杂剂杂质之间的过渡区具有在2.5nm到0.5nm之间的跨越所述界面的宽度；

栅绝缘层，其设置在所述本体层上；

栅极，其设置在所述栅绝缘层上，其中所述栅极包含具有中间能隙功函数的金属，其中所述金属和所述栅绝缘层直接接触，其中所述栅极的长度小于40nm；以及

源极和漏极，其中所述源极和所述漏极具有浓度在5×10¹⁹/cm³到2×10²⁰/cm³之间的第二类型的掺杂剂杂质，其中所述源极和所述漏极的结深小于7nm。

2、如权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述栅极长度在15nm到35nm之间。

3、如权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述本体层中的所述第二类型的所述掺杂剂杂质的浓度在5×10¹⁸/cm³到5×10¹⁹/cm³之间。

4、如权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述第一类型的所述掺杂剂杂质是n型，而所述第二类型的所述掺杂剂杂质是p型。

5、如权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述第一类型的所述掺杂剂杂质是p型，而所述第二类型的所述掺杂剂杂质是n型。

6、如权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述源极和所述漏极是高起型源极/漏极。

7、如权利要求1所述的MOSFET器件，其中所述单晶硅基材料和所述硅基本体层是纯硅。

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