[发明专利]封装导电结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710084093.0 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101246865A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 齐中邦 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹县新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 导电 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装导电结构，用于一半导体基材，该半导体基材上包含一衬垫，该封装导电结构包含：
一凸块下金属层，与该半导体基材的衬垫电性连接，其中该凸块下金属层具有一中央区域及一周缘区域，以形成一容置空间；
至少一辅助件，设置于该容置空间内，且于该凸块下金属层的中央区域上；
一凸块导电层，覆盖于该凸块下金属层及该至少一辅助件；以及
一凸块，设置于该凸块导电层上；
其中，该凸块下金属层是于该中央区域与该衬垫接合，借此，该凸块通过该凸块导电层及该凸块下金属层，可与该半导体基材的衬垫电性连接。
2.根据权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于还具有一保护层，该凸块下金属层适以该周缘区域，部分覆盖该保护层的一边缘。
3.根据权利要求2所述的封装导电结构，其特征在于该保护层是局部覆盖该衬垫。
4.根据权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于该凸块下金属层是由钛/钨合金或铬所制成。
5.根据权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于该凸块导电层是由金或铬所制成。
6.根据权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于该至少一辅助件是由聚酰亚胺所制成。
7.根据权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于该至少一辅助件为一柱体。
8.根据权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于还包含多个辅助件。
9.根据权利要求1所述的封装导电结构，其特征在于该衬垫由铝所制成。
10.一种封装导电结构的制造方法，该封装导电结构是用于一半导体基材，该半导体基材包含一衬垫，该制造方法包含下列步骤：
(a)形成一保护层于该半导体基材上，局部覆盖该衬垫；
(b)形成一凸块下金属层于该保护层上，其中该凸块下金属层具有一中央区域及一周缘区域，以形成一容置空间，且该凸块下金属层于该中央区域与该衬垫电性连接；
(c)于该容置空间中且于该凸块下金属层的中央区域上形成至少一辅助件；
(d)形成一凸块导电层，覆盖于该凸块下金属层及该至少一辅助件上；以及
(e)形成一凸块于该凸块导电层上，通过该凸块导电层及该凸块下金属层与该衬垫电性连接。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于该步骤(a)包含：
形成一光阻层；以及
进行一蚀刻工序。
12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于该步骤(c)包含：
进行一曝光工序，以于该凸块下金属层上形成该至少一辅助件；以及
针对该至少一辅助件进行一加热工序，使该至少一辅助件固化。
13.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于该至少一辅助件是由聚酰亚胺所制成。
14.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于该凸块下金属层是由钛/钨合金或铬所制成。
15.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于该凸块导电层是由金或铬所制成。
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