[发明专利]适用于解决光罩沉积物缺陷的方法与装置

说明书

技术领域

本发明是有关于半导体制造的技术领域，且特别是有关于一种关于在微影(photolithography)制程中，可以减少或解决光罩的沉积物缺陷(precipitate defects)的装置与方法。

背景技术

光罩(photomasks or reticles)已经普遍被使用于半导体制造的微影制程中。典型的光罩是使用非常平的石英或玻璃板，并在板体的其中一侧面沉积一层铬所制作而成。在微影制程中，会将光罩(如二位元明暗度光罩(Binary Intensity Mask，BIM)或是相位偏移光罩(Phase Shift Mask，PSM))上的图案(pattern)转移成一图像到晶圆上。然而，光罩的洁净程度往往会是一项问题，对于高精确的光罩(例如在微影制程中，使用波长等于或短于248奈米的光罩)特别容易受影响而产生缺陷。

造成光罩的不洁净的其中一种因素，即是为薄雾污染(hazecontamination)。薄雾污染形成的主要原因，来自于光罩清洗剂的残留沉积物、不洁净的晶圆制造环境或是暴露于相互影响的设备环境中。举例来说，当使用包含氨盐基(NH₄)与硫酸盐(SO₄)的溶剂来清洗光罩后，若光罩曝晒于短波长的紫外光下(如短波248或193奈米)时，光罩污染的现象会变得明显。一般来说，可使用一般气体(如氮气或干净干空气)来气涤洁净光罩，去除光罩上的薄雾污染。典型上，气涤洁净光罩的方式是将气体藉由一气体入口扩散导入一光罩传送盒(reticle pod)中，使不洁物(如氨盐基与硫酸盐)扩散于气体中，并随气体扩散排出光罩传送盒外。

光罩也同时受到其他因素影响而造成缺陷，例如由静电放电(ElectroStatic Discharge，ESD)所造成的缺陷。静电放电会损害光罩上的图案，其结果便是在晶圆上形成有缺陷的图像。

因此，需要一种方法与装置，其能同时减低薄雾污染与静电放电对光罩所造成的损害。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服上述现有技术的缺陷，而提供一种在微影(photolithography)制程中，可以减少或解决光罩的沉积物缺陷(precipitate defects)的装置与方法。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种减少光罩中缺陷的方法，其中，光罩是设置于一光罩装置中，该方法至少包含以下步骤：将一气体扩散至该光罩装置中；利用该气体气涤(purging)清洁，以去除一光罩上的沉积物缺陷；以及提供一金属遮蔽装置，该金属遮蔽将该光罩装置围绕容置于其中，以减少对该光罩的沉积物缺陷。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的减少光罩中缺陷的方法，其中所述的光罩装置包含：一光罩基板(reticle blank)；一光罩图案，其是附着于该光罩基板的其中一侧面；一护膜结构(pellicle frame)，其是遮盖住该光罩图案；以及复数侧支撑架，该些侧支撑架是设置于该光罩基板的周缘位置，并藉由框架粘着剂固定。

前述的减少光罩中缺陷的方法，其中所述的利用该气体气涤(purging)清洁去除一光罩上的沉积物缺陷的步骤包含：将该气体经由一空气入口扩散至该光罩装置中；以及将该些沉积物缺陷经由一空气出口扩散排出该光罩装置中。

前述的减少光罩中缺陷的方法，其中所述的气体包含有氮气、氧气以及氩气三者至少其中之一。

前述的减少光罩中缺陷的方法，其中所述的金属遮蔽装置包含：一上方金属遮蔽体、该光罩装置的该护膜结构、该光罩装置的该些侧支撑架、一上盖将该上方金属遮蔽体与该光罩装置围绕容置于其中，以及一把手装置设置于该上盖上，且该把手装置更包含一把手以及一把手盖体。

前述的减少光罩中缺陷的方法，其中所述的上方金属遮蔽体、该光罩装置的该护膜结构、该光罩装置的该些侧支撑架、该上盖、该把手以及该把手盖体是由合金或不锈钢两者至少其中之一制成。

前述的减少光罩中缺陷的方法，其中所述的金属遮蔽装置包含一气体入口以及一气体出口。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种光罩装置，其包含：一光罩，该光罩是设置于该光罩装置；至少一气体入口，以供将一气体扩散至该光罩装置中并流向该光罩；以及一金属遮蔽装置，该金属遮蔽装置是围绕该光罩装置于其中，用以减少光罩上的沉积物缺陷以及光罩的损害。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。