[发明专利]适用于解决光罩沉积物缺陷的方法与装置有效
| 申请号: | 200710079429.4 | 申请日: | 2007-03-12 |
| 公开(公告)号: | CN101063806A | 公开(公告)日: | 2007-10-31 |
| 发明(设计)人: | 戴逸明 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00;G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
| 地址: | 台湾省新竹市新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 适用于 解决 沉积物 缺陷 方法 装置 | ||
1.一种减少光罩中缺陷的方法,其中,光罩是设置于一光罩装置中,其特征在于该方法至少包含以下步骤:
将一气体扩散至该光罩装置中;
利用该气体气涤清洁,以去除一光罩上的沉积物缺陷;以及
提供一金属遮蔽装置,该金属遮蔽装置将该光罩装置围绕容置于其中,以减少对该光罩的沉积物缺陷,
其中利用该气体气涤清洁去除一光罩上的沉积物缺陷的步骤包含:
将该气体经由一气体入口扩散至该光罩装置中;以及
将该沉积物缺陷经由一气体出口扩散排出该光罩装置中,其中该金属遮蔽装置也包含一气体入口以及一气体出口。
2.根据权利要求1所述的减少光罩中缺陷的方法,其特征在于其中所述的光罩装置包含:
一光罩基板;
一光罩图案,其是附着于该光罩基板的其中一侧面;
一护膜结构,其是遮盖住该光罩图案;以及
复数侧支撑架,该些侧支撑架是设置于该光罩基板的周缘位置,并藉由框架粘着剂固定。
3.根据权利要求1所述的减少光罩中缺陷的方法,其特征在于其中所述的气体包含有氮气、氧气以及氩气三者至少其中之一。
4.根据权利要求2所述的减少光罩中缺陷的方法,其特征在于其中所述的金属遮蔽装置包含:一上方金属遮蔽体、该光罩装置的该护膜结构、该光罩装置的该些侧支撑架、一上盖将该上方金属遮蔽体与该光罩装置围绕容置于其中,以及一把手装置设置于该上盖上,且该把手装置更包含一把手以及一把手盖体。
5.根据权利要求4所述的减少光罩中缺陷的方法,其特征在于其中所述的上方金属遮蔽体、该光罩装置的该护膜结构、该光罩装置的该些侧支撑架、该上盖、该把手以及该把手盖体是由合金或不锈钢两者至少其中之一制成。
6.一种光罩装置,其特征在于其包含:
一光罩,该光罩是设置于该光罩装置;
至少一气体入口,以供将一气体扩散至该光罩装置中并流向该光罩;
至少一气体出口,以经由被扩散导入光罩装置内部的该气体,使该光罩装置中的沉积物缺陷,可由该光罩装置中被扩散排出以及
一金属遮蔽装置,也包含一气体入口以及一气体出口,该金属遮蔽装置是围绕该光罩装置于其中,用以减少光罩上的沉积物缺陷以及光罩的损害。
7.根据权利要求6所述的光罩装置,其特征在于其中:
该光罩,包含一光罩基板,以及一光罩图案,该光罩图案是附着于该光罩基板的至少其中一侧面;以及
该光罩装置,其更进一步包含:
一护膜结构,遮盖住该光罩图案;及
复数侧支撑架,设置于该光罩基板的周缘位置,并藉由框架粘着剂固定。
8.根据权利要求7所述的光罩装置,其特征在于其中所述的金属遮蔽装置包含:一上方金属遮蔽体、该光罩装置的护膜结构以及该光罩装置的侧支撑架。
9.根据权利要求8所述的光罩装置,其特征在于其中所述的金属遮蔽装置更包含一上盖,该上盖是将该上方金属遮蔽体与该光罩装置围绕容置于其中。
10.根据权利要求8所述的光罩装置,其特征在于其中所述的金属遮蔽装置更包含有一上盖,该金属遮蔽装置更包含一把手装置,该把手装置是设置于该上盖上,并包含一把手以及一把手盖体;
其中,该上方金属遮蔽体、该光罩装置的护膜结构、该光罩装置的侧支撑架、该上盖、该把手以及该把手盖体是由合金或不锈钢两者至少其中之一制成。
11.一种使用于微影制程的光罩传送盒,其特征在于该光罩传送盒包含:
一光罩装置,其包含有一图案化光罩以及一腔室,该腔室围绕容置该图案化光罩的一侧表面,并包含一气体入口,以将一气体扩散至该光罩装置中,以及一气体出口,以经由被扩散导入该光罩装置中的该气体,使该光罩装置中的沉积物缺陷,可由该光罩装置中被扩散排出;以及
一金属遮蔽装置,也包含一气体入口以及一气体出口,该金属遮蔽装置是围绕该光罩装置于其中;
其中,该金属遮蔽装置包含一上方金属遮蔽体,该上方金属遮蔽体围绕该光罩装置的至少一部分,以供减少于该光罩装置中的静电放电影响。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





