[发明专利]薄膜晶体管基板、电湿润式显示装置及薄膜晶体管基板制造方法有效
申请号: | 200710076570.9 | 申请日: | 2007-08-24 |
公开(公告)号: | CN101373777A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 李睿匀;黄荣龙 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/48;H01L21/84;H01L21/28;G02B26/02;G09F9/37 |
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地址: | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 湿润 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其包括一基底、多个设置在该基底上的薄膜晶体管、多个设置在该基底上的反射电极和一设置在该反射电极上的斥水性绝缘层,其特征在于:该反射电极包括一第一金属层和一透光的保护层,该第一金属层设置在该保护层与基底之间。
2.如权利要求1所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其特征在于:该反射电极的第一金属层的材料为纯铝,该保护层为对该第一金属层进行氧化而得的氧化铝。
3.如权利要求1所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其特征在于:该反射电极进一步包括一第二金属层,其设置在该第一金属层与该基底之间。
4.如权利要求3所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其特征在于:该第二金属层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
5.如权利要求3所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其特征在于:该反射电极进一步包括一缓冲层,其设置在该第一金属层与该第二金属层之间。
6.如权利要求5所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其特征在于:该缓冲层的材料为与该第一金属层和该第二金属层不产生化学反应的导体。
7.如权利要求6所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其特征在于:该缓冲层的材料为钼。
8.如权利要求1所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其特征在于:该保护层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
9.如权利要求8所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其特征在于:该反射电极进一步包括一缓冲层,其设置在该第一金属层与该保护层之间。
10.如权利要求9所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其特征在于:该缓冲层的材料为与该第一金属层和该保护层不产生化学反应的材料。
11.如权利要求9所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其特征在于:该缓冲层的材料为钼。
12.如权利要求10所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其特征在于:该第一金属层的材料为纯铝,该缓冲层的材料为氧化该纯铝而得的氧化铝。
13.如权利要求1所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板,其特征在于:该薄膜晶体管包括设置在该基底上的栅极、一设置在该栅极和该基底上的栅极绝缘层、一设置在该栅极绝缘层上的半导体层、设置在该半导体图案和该栅极绝缘层上的一源极和一漏极,该薄膜晶体管基板还包括一设置在该栅极绝缘层、该源极、该漏极和该半导体图案上的钝化层,该反射电极设置在该钝化层上,该反射电极电连接至该漏极,该第一金属层位于该保护层和该钝化层之间。
14.一种电湿润式显示装置,其包括一对向基板、一与该对向基板相对的薄膜晶体管基板、多个设置在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的侧壁、一设置在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的导电的第一液体和一设置在该对向基板与该薄膜晶体管基板之间的非导电的第二液体,该第一液体与该第二液体互不相融,该薄膜晶体管基板包括一基底、多个设置在该基底上的薄膜晶体管、多个设置在该基底上的反射电极和一设置在该反射电极上的斥水性绝缘层,其特征在于:该反射电极包括一第一金属层和一透光的保护层,该第一金属层设置在该保护层与基底之间。
15.如权利要求14所述的电湿润式显示装置,其特征在于:该薄膜晶体管包括设置在该基底上的栅极、一设置在该栅极和该基底上的栅极绝缘层、一设置在该栅极绝缘层上的半导体层、设置在该半导体图案和该栅极绝缘层上的一源极和一漏极,该薄膜晶体管基板还包括一设置在该栅极绝缘层、该源极、该漏极和该半导体图案上的钝化层,该反射电极设置在该钝化层上,该反射电极电连接至该漏极,该第一金属层位于该保护层和该钝化层之间。
16.一种用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板制造方法,其包括提供一基底;在该基底上形成多个薄膜晶体管;在该基底上形成一第一金属层;在该第一金属层上形成一透光的保护层,使该第一金属层和该保护层用来形成一反射电极;在该反射电极上形成一斥水性绝缘层。
17.如权利要求16所述的用于电湿润式显示装置的薄膜晶体管基板制造方法,其特征在于:该第一金属层的材料为纯铝,该保护层的材料为氧化铝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的