[发明专利]光感测器和显示装置有效
| 申请号: | 200710073960.0 | 申请日: | 2007-04-06 |
| 公开(公告)号: | CN101281916A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
| 发明(设计)人: | 蔡宏璋 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G02F1/13357;G02F1/133 |
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| 地址: | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光感测器 显示装置 | ||
技术领域
本发明是关于一种光感测器和采用该光感测器的显示装置。
背景技术
显示装置一般包括液晶显示装置、电浆显示装置和有机电致发光显示装置等,其广泛应用在各种信息、通讯、消费性电子产品之中。液晶显示装置因具有低辐射性、体积轻薄短小和耗电低等特点,现已广泛应用在手机、个人数字助理、笔记型计算机、个人计算机和电视等领域。液晶显示装置作为一种显示装置,其显示亮度是一主要性能参数。为满足不同情形的显示亮度需求,需要对液晶显示装置的亮度进行调整。
请参考图1,其是一种现有技术液晶显示装置的结构示意图。该液晶显示装置1包括一液晶显示面板11和一背光模组12,该液晶显示面板11与该背光模组12层叠设置。
请一并参考图2,其是该液晶显示装置1亮度感测与控制的功能模组示意图。该液晶显示装置1的背光模组12包括一光源121、一光感测器122和一控制电路123。该光感测器122是一光敏晶体管,其感测环境光亮度并产生一感光电流,该感光电流与该控制电路123内部存储的对比参考值具有一定的函数关系,该控制电路123根据该感光电流与对比参考值的函数关系进行运算,产生一控制信号,对应环境光亮度调整该光源121,使该光源121发出与环境光亮度相匹配的光束。
该液晶显示装置1能对背光亮度进行自动调整,然而由于该控制电路123内部存储的对比参考值固定不变,当该光感测器122的内部元件参数因环境发生变化时,其感测环境光所产生的感光电流并不准确,因此根据该感光电流与该对比参考值进行运算所产生的背光控制信号去控制该光源121,不能准确配合环境光亮度调整该光源121所发的光强度。另外,该液晶显示装置1的背光模组12是由胶框、金属背板和各种光学膜片组成,电路布局较少,因此在该背光模组12上设置光感测器122和控制电路123,使该液晶显示装置1的制造工艺复杂,成本高。
发明内容
为了克服现有技术中光感侧器不能准确感侧环境光的问题,有必要提供一种能准确感测环境光的光感测器。
还有必要提供一种采用上述光感测器、制造工艺简单且成本低的显示装置。
一种光感测器,其包括一感光元件和一补偿元件。其中,该感光元件与该补偿元件结构相同,其分别包括至少一非晶硅薄膜晶体管,该感光元件的至少一非晶硅薄膜晶体管用于感光,该补偿元件的至少一非晶硅薄膜晶体管用于为该感光元件提供对比参考值。
一种显示装置,其包括一光感测器、一黑矩阵、相对设置的一第一基板和一第二基板,该光感测器与该黑矩阵设置于该第一基板与该第二基板之间。其中,该光感测器设置于该第一基板,该黑矩阵设置于该第二基板,该光感测器包括一感光元件和一补偿元件,该感光元件与该补偿元件结构相同,其分别包括至少一非晶硅薄膜晶体管,该感光元件的至少一非晶硅薄膜晶体管用于感光,该补偿元件的至少一非晶硅薄膜晶体管用于为该感光元件提供对比参考值。该黑矩阵具有一开口,该开口对应该感光元件的用于感光的非晶硅薄膜晶体管设置。
相较于现有技术,该光感测器的感光元件与补偿元件均采用相同的非晶硅薄膜晶体管制成,两者的内部元件参数因环境所发生的变化一致,所以采用补偿元件为该感光元件提供对比参考值,能准确感测环境光。
该显示装置采用该光感测器,该光感测器可与该显示装置的像素阵列内的薄膜晶体管一并刻蚀形成,无须额外制造工艺,所以制造工艺简单,成本低。
附图说明
图1是一种现有技术显示装置的结构示意图。
图2是图1的液晶显示装置亮度感测与控制的功能模组示意图。
图3是本发明显示装置第一实施方式的部分非像素阵列区域的结构示意图。
图4是图3的光感测器的电路示意图。
图5是本发明显示装置第二实施方式的光感测器的电路示意图。
图6是本发明显示装置第三实施方式的光感测器的电路示意图。
图7是本发明显示装置第四实施方式的部分非像素阵列区域的结构示意图。
图8是图7的光感测器的电路示意图。
图9是本发明显示装置第五实施方式的光感测器的电路示意图。
图10是本发明显示装置第六实施方式的光感测器的电路示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





