[发明专利]光感测器和显示装置

权利要求书

1. 一种光感测器，其特征在于：其包括一感光元件和一补偿元件，该感光元件与该补偿元件结构相同，其分别包括至少一非晶硅薄膜晶体管，该感光元件的至少一非晶硅薄膜晶体管用于感光，该补偿元件的至少一非晶硅薄膜晶体管用于为该感光元件提供对比参考值。

2. 如权利要求1所述的光感测器，其特征在于：该感光元件包括一第一感光元件，该第一感光元件包括一第一非晶硅薄膜晶体管，该补偿元件包括一第二非晶硅薄膜晶体管，该第一、第二非晶硅薄膜晶体管的漏极分别连接一第一、一第二固定电压，栅极均连接一栅极电压，源极接地。

3. 如权利要求2所述的光感测器，其特征在于：该感光元件进一步包括一第二感光元件，该第二感光元件包括一第三非晶硅薄膜晶体管，第三非晶硅薄膜晶体管用于感光，该第三非晶硅薄膜晶体管的漏极连接一第三固定电压，栅极连接该栅极电压，源极接地，该第一、第三非晶硅薄膜晶体管用于感光，该第二非晶硅薄膜晶体管用于为该第一、第二感光元件提供对比参考值，该第一、第二、第三非晶硅薄膜晶体管的漏极电流分别用于量测。

4. 如权利要求2所述的光感测器，其特征在于：该第一感光元件进一步包括一第三非晶硅薄膜晶体管和一第一分压元件，该补偿元件进一步包括一第四非晶硅薄膜晶体管和一第二分压元件，该第一分压元件串接于该第一非晶硅薄膜晶体管的源极与地之间，该第三非晶硅薄膜晶体管的漏极连接一第三固定电压，栅极连接于该第一非晶硅薄膜晶体管的源极，源极接地，该第二分压元件串接于该第二非晶硅薄膜晶体管的源极与地之间，该第四非晶硅薄膜晶体管的漏极连接一第四固定电压，闸级连接于该第二非晶硅薄膜晶体管的源极，源极接地，该第一非晶硅薄膜晶体管用于感光，该第四非晶硅薄膜晶体管用于为该第一感光元件提供对比参考值，该第三非晶硅薄膜晶体管与该第四非晶硅薄膜晶体管的漏极电流分别用于量测。

5. 如权利要求4所述的光感测器，其特征在于：该感光元件进一步包括一第二感光元件，该第二感光元件包括一第五、一第六非晶硅薄膜晶体管和一第三分压元件，该第五、第六非晶硅薄膜晶体管的漏极分别连接一第五、一第六固定电压，该第五非晶硅薄膜晶体管的栅极连接于该栅极电压，源极连接于该第六非晶硅薄膜晶体管的栅极，并经由该第三分压元件接地，该第六非晶硅薄膜晶体管的源极接地，该第五非晶硅薄膜晶体管用于感光，该第四非晶硅薄膜晶体管进一步用于为该第二感光元件提供对比参考值，该第六非晶硅薄膜晶体管的漏极电流分别用于量测。

6. 一种显示装置，其包括一光感测器、一黑矩阵、相对设置的一第一基板和一第二基板，该光感测器与该黑矩阵设置于该第一基板与该第二基板之间，其特征在于：该光感测器设置于该第一基板，该黑矩阵设置于该第二基板，该光感测器包括一感光元件和一补偿元件，该感光元件与该补偿元件结构相同，其分别包括至少一非晶硅薄膜晶体管，该感光元件的至少一非晶硅薄膜晶体管用于感光，该补偿元件的至少一非晶硅薄膜晶体管用于为该感光元件提供对比参考值，该黑矩阵具有一开口，该开口对应该感光元件的用于感光的非晶硅薄膜晶体管设置。

7. 如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：该感光元件包括一第一感光元件，该第一感光元件包括一第一非晶硅薄膜晶体管，该补偿元件包括一第二非晶硅薄膜晶体管，该第一、第二非晶硅薄膜晶体管的漏极分别连接一第一、一第二固定电压，栅极均连接一栅极电压，源极接地。

8. 如权利要求7所述的显示装置，其特征在于：该感光元件进一步包括一第二感光元件，该第二感光元件包括一第三非晶硅薄膜晶体管，第三非晶硅薄膜晶体管用于感光，该第三非晶硅薄膜晶体管的漏极连接一第三固定电压，栅极连接该栅极电压，源极接地，该第一、第三非晶硅薄膜晶体管用于感光，该第二非晶硅薄膜晶体管用于为该第一、第二感光元件提供对比参考值，该第一、第二、第三非晶硅薄膜晶体管的漏极电流分别用于量测。