[发明专利]静电放电防护电路及其制造方法有效
| 申请号： | 200710073760.5 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101277573A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H05F3/04 | 分类号： | H05F3/04;H05F3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 放电 防护 电路 及其 制造 方法 | ||
1. 一种静电放电防护电路，其特征在于；该静电放电防护电路包括一硅基板、一催化层、一纳米碳管层及一透明遮罩，该催化层及该奈米碳管层依次层叠设置于该硅基板表面，该透明遮罩收容该催化层及该奈米碳管层，并与该硅基板密封，该透明遮罩的内表面涂覆有荧光粉。
2. 如权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于：该催化层为铁薄膜、钴薄膜或镍薄膜之一。
3. 如权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于：该透明遮罩的表面呈弧形。
4. 如权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于：该透明遮罩为塑料射出透明遮罩或玻璃加热冲压透明遮罩。
5. 如权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于：该催化层及该奈米碳管层的面积小于该硅基板的面积。
6. 如权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于：该硅基板与该催化层相背的另一表面依次层叠设置一施主掺杂层及一铝薄膜。
7. 如权利要求6所述的静电放电防护电路，其特征在于：该铝薄膜及该施主掺杂层与该硅基板的面积相同。
8. 一种静电放电防护电路的制造方法，其包括以下步骤：
步骤a：提供一硅基板；
步骤b：应用物理气相沉积法于该硅基板的表面沉积一催化层；
步骤c：依所需静电放电防护电路的形状，对该催化层进行蚀刻图案化；
步骤d：应用化学气相沉积法于该催化层上形成奈米碳管层；
步骤e：切割该硅基板，使切割后的每一块硅基板均包括一催化层及一奈米碳管层；
步骤f：提供一透明遮罩；
步骤g：在透明遮罩内表面沉积涂布荧光粉，然后将该透明遮罩与硅基板密封。
9. 一种静电放电防护电路的制造方法，其包括以下步骤：
步骤a：提供一硅基板；
步骤b：于该硅基板的一表面上重掺杂磷或砷等施主元素，形成施主掺杂层；
步骤c：于该施主掺杂层表面应用物理气相沉积法沉积铝金属层以形成该铝薄膜；
步骤d：应用物理气相沉积法于该硅基板的另一表面上沉积一催化层；
步骤e：依所需静电放电防护电路的形状，对该催化层进行蚀刻图案化；
步骤f：应用化学气相沉积法于该催化层上形成奈米碳管层；
步骤g：切割该硅基板，使切割后的每一块硅基板均包括一催化层及一奈米碳管层；
步骤h：提供一透明遮罩；
步骤i：在透明遮罩内表面沉积涂布荧光粉，然后将该透明遮罩与硅基板密封。
10. 如权利要求9所述的静电放电防护电路的制造方法，其特征在于：该铝薄膜及该施主掺杂层与该硅基板的面积相同。
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