[发明专利]一种用于量子阱红外探测器的交叉组合式双周期光栅有效
申请号: | 200710062231.5 | 申请日: | 2007-06-29 |
公开(公告)号: | CN101106164A | 公开(公告)日: | 2008-01-16 |
发明(设计)人: | 齐丽芳;李献杰;赵永林;尹顺政;蔡道民 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/18;G02B5/18;G02F1/35;G03F7/00 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人: | 张明月 |
地址: | 050051河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 量子 红外探测器 交叉 组合式 双周 光栅 | ||
技术领域
本发明涉及一种应用于双色量子阱红外探测器中的光栅。
背景技术
量子阱红外探测器(英文简称为QWIP)具有大面积均匀性好、抗辐射、易于双色或多色器件单片集成等优点,是目前红外探测器研究的焦点,在矿物资源探测、森林防火、工业监控、医疗卫生、食品工业等领域有广泛应用前景,其原理结构如图1所示。研制响应率和探测率高、价格低的量子阱红外焦平面阵列是人们一直在追求的一个目标。国外研究机构已经报道了双色、三色和四色量子阱红外探测器(下面量子阱红外探测器简称QWIP),其中双色的QWIP的光栅的栅孔阵列规模达到了1024×1024,四色达到了640×512。由于QWIP有源区对垂直于器件表面的入射光分量不吸收,因此需要在像元表面制作衍射光栅,使入射光通过衍射产生平行于量子阱方向的光分量,所以光栅的设计和制作是影响双色QWIP器件性能的重要因素。
在以往的文献中曾报道了两种结构的双周期光栅,如图3、4所示。图3中的是x、y方向参数不同的双周期光栅。这种光栅在x方向响应一个波长,在y方向响应另一个波长。但是由于x、y方向的参数不同,失去了正交对称性,易造成像散。图4所示的是单周期简单组合而成的双周期光栅。这种光栅左半面响应一个波长,右半面响应另一个波长。但是在整个面上的响应均匀性不是很好,而且当光栅孔的尺寸很小时,受光刻线宽的限制比较大。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种在整个面上响应均匀性好的、可避免像散、且提高耦合效率的交叉组合式的双周期光栅。
为达到上述目的,本发明所采用的技术方案是:
本发明中光栅的奇数行是由响应同一个波长的方形栅孔组成,偶数行是由响应另一个波长的方形栅孔组成,奇数行和偶数行交叉排列;奇数行的一个光栅孔和偶数行的两个光栅孔组成一个“品”字形。奇数行周期为d1,栅孔宽度为a1,栅孔深度为h1;偶数行周期为d2,栅孔宽度为a2,栅孔深度为h2;纵向周期为d3,奇数行光栅到偶数行光栅的间距为x1,偶数行光栅到下一奇数行光栅的间距为y1。
光栅尺寸的设计方法如下:对于横向尺寸(包括d1、a1、d2、a2),计算方法和单周期光栅的计算法相同,即光栅周期d=λ/n,栅孔宽度a=0.707d,栅孔深度h=λ/(3.2n)。其中λ为入射光的波长,n为量子阱层的折射率。因此,对于响应波长为λ1和λ2的双色量子阱红外探测器,它的交叉组合双周期光栅的横向参数分别为d1=λ1/n,d2=λ2/n,a1=0.707d1,a2=0.707d2;栅孔深度分别为:h1=λ1/(3.2n),h2=λ2/(3.2n)。对于纵向尺寸(包括d3、x1、y1),各参数为:d3≈d1+d2,x1=0.707d2,y1=0.707d1。
本发明的光栅的光刻工艺为:
A在光栅片上先刻出奇数行光栅的图形,其工艺步骤为
A1、外延片预处理,依次用丙酮、乙醇分别超声清洗、用氮气吹干,
A2、涂胶,采用AZ1500光刻胶,
A3、前烘,在100℃热板上烘烤,
A4、曝光,
A5、显影,氮气吹干,
A6、坚膜,
A7、光栅刻蚀,采用ICP干法刻蚀得到所要求的光栅深度,
A8、去胶,用丙酮浸泡完成刻蚀的片子,去除光刻胶;
B在上述片子的对应位置上,用偶数行光栅掩膜版通过光刻工艺制作出偶数行光栅的掩模图形。
本发明取得的技术进步是:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所,未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710062231.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的