[发明专利]氙气中杂质的色谱分析方法有效
申请号: | 200710053332.6 | 申请日: | 2007-09-21 |
公开(公告)号: | CN101126750A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 熊万红;李禾;谢欣;胡洁 | 申请(专利权)人: | 武汉钢铁(集团)公司 |
主分类号: | G01N30/88 | 分类号: | G01N30/88;G01N30/02 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 段姣姣 |
地址: | 43008*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氙气 杂质 色谱 分析 方法 | ||
技术领域
本发明涉及色谱分析方法,具体讲更适于氙气中所有杂质的色谱分析方法。
背景技术
大家熟知,氙气中除了H2、O2、N2、Kr、CO2、CO、CH4、N2O几种常规杂质外,还存在SF6、C2F6、C2H4、C2H6等碳氢化合物,这是由于近年来随着工业尤其是氟化学工业的迅速发展,氟化工产品也日益增多,而作为废气的C2F6、SF6的排放也与日俱增并进入大气所致。另外空气中还存在微量的C2H4、C2H6等碳氢化合物。而氪氙的制取是以空气为原料,且C2F6、SF6、C2H4、C2H6的沸点分别为-78.95℃、-63.25℃、-103.75℃、-88.65℃,都高于Xe的沸点-108.05℃,随分离塔的精馏以上杂质都有可能会浓缩到产品氙气中。
目前,在氙气的分析方法中存在以下问题:1、不能全面分析出氙气中的杂质,只能分析氙气中的H2、O2、N2、Kr、CO2、CO、CH4、N2O几种常规杂质;2、分析时间过长,正常情况下每两瓶气分析的间隔时间需一个半小时;3、分析需要的仪器较多,每分析一瓶氙气,需使用三台仪器才能完成,造成能源消耗过大。
发明内容
本发明的目的是克服上述不足,提供一种能全面分析出氙气中的杂质、分析时间短即仅需半个小时、分析需要的仪器较少及分析准确的氙气中杂质的色谱分析方法。
实现上述目的的技术措施:
氙气中杂质的色谱分析方法,其步骤包括:
1)、首先分析氙气中的H2、O2、N2、Kr、CO、CO2、CH4、N2O杂质步骤:
a)、选用氦底气为标准气及PDD色谱仪;
b)、设定PDD色谱条件:
炉温:60~90℃,运行时间:20~15分钟,检测器温度:130~200℃,阀箱温度75~90℃,进入分子筛色谱柱的载气压力:0.23~0.29MPa,进入高分子微球色谱柱的载气压力:0.3~0.38MPa;
c)、PDD工作条件稳定后进行分析;
2)析氙气中的SF6杂质,其步骤:
a)设定色谱条件:
炉温:70℃,运行时间:17分钟,检测器温度:130~160℃,阀箱温度75~90℃,进入高分子微球色谱柱的载气压力:0.3~0.38MPa;
b)在气相色谱分析仪运行到8~10分钟,将氙气导入分子筛色谱柱,在运行到10~12分钟,切断进入分子筛色谱柱的氙气,分析杂质SF6;
3)析氙气中的C2F6杂质,其步骤:
a)设定色谱条件:
炉温:30~50℃,运行时间:25~17分钟,检测器温度:130~200℃,阀箱温度75~90℃,进入高分子微球色谱柱的载气压力:0.3~0.38MPa;
b)待工作条件稳定后进行分析;
4)采用FID色谱分析仪分析杂质:CH4、C2H4、C2H6、C3H8步骤:
a)、选用标准气
b)、设定FID色谱仪工作条件:
炉温:90~120℃,运行时间:8~4分钟,检测器底座温度:190~210℃,Al2O3色谱柱的载气压力:0.16~0.2MPa;空气流量:氢气:载气=1~10∶1∶1;
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