[发明专利]氙气中杂质的色谱分析方法

权利要求书

1.氙气中杂质的色谱分析方法，其步骤包括：

1)、首先分析氙气中的H₂、O₂、N₂、Kr、CO、CO₂、CH₄、N₂O杂质步骤：

a)选用氦底气为标准气及PDD色谱仪；

b)设定PDD色谱条件：

炉温：60～90℃，运行时间：20～15分钟，检测器温度：130～200℃，阀箱温度75～90℃，进入分子筛色谱柱的载气压力：0.23～0.29MPa，进入高分子微球色谱柱的载气压力：0.3～0.38MPa；

d)PDD工作条件稳定后进行分析；

2)分析氙气中的SF₆杂质，其步骤：

a)设定色谱条件：

炉温：70℃，运行时间：17分钟，检测器温度：130～160℃，阀箱温度75～90℃，进入高分子微球色谱柱的载气压力：0.3～0.38MPa；

b)在气相色谱分析仪运行到8～10分钟，将氙气导入分子筛色谱柱，在运行到10～12分钟，切断进入分子筛色谱柱的氙气，分析杂质SF₆；

3)分析氙气中的C₂F₆杂质，其步骤：

a)设定色谱条件：

炉温：30～50℃，运行时间：25～17分钟，检测器温度：130～200℃，阀箱温度75～90℃，进入高分子微球色谱柱的载气压力：0.3～0.38MPa；

b)待工作条件稳定后进行分析；

4)采用FID色谱分析仪分析杂质：CH₄、C₂H₄、C₂H₆、C₃H₈，其步骤：

a)选用标准气

b)设定FID色谱仪工作条件：

炉温：90～120℃，运行时间：8～4分钟，检测器底座温度：190～210℃，Al₂O₃色谱柱的载气压力：0.16～0.2MPa；空气流量∶氢气∶载气＝1～10∶1∶1；

c)分析杂质CH₄、C₂H₄、C₂H₆、C₃H₈含量。

2.如权利要求1所述的氙气中杂质的色谱分析方法，其特征在于：分析氙气中的SF₆、C₂F₆杂质的色谱条件：炉温35～43℃，运行时间22～18分钟。

3.如权利要求1所述的氙气中杂质的色谱分析方法，其特征在于：在11～12分钟切断进入分子筛的氙气。