[发明专利]倒装焊发光二极管芯片的制造方法有效
| 申请号： | 200710053027.7 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101119601A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 鲍坚仁;应华兵;张建宝;曾灵琪 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 430223湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒装 发光二极管 芯片 制造 方法 | ||
1、一种倒装焊发光二极管芯片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：
①首先，根据LED芯片工艺制作好LED芯片B，在芯片B的嵌合面蒸镀有Ag金属反光层，既让电流均匀，又让光从LED芯片的背面射出；
②根据芯片B，制造大小合适的芯片A，在芯片A上通过光刻或电镀或蒸发工艺制作出金属凸点和金属围墙，然后把LED芯片B放入芯片A的围墙内，通过加压和加热，把芯片B和芯片A可靠地结合在一起。
2、如权利要求1所述的倒装焊发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：制作围墙和凸点的材料为锌、铬、镍、金、银、铜、铝或锡，或者它们的合金。
3、如权利要求2所述的倒装焊发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：围墙和凸点是多层金属构成。
4、如权利要求2所述的倒装焊发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：围墙的高度比凸点的高度高，凸点的高度为2～40微米，围墙的高度为5～100微米。
5、如权利要求1或2或3或4所述的倒装焊发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：芯片B的尺寸为200微米到2英寸，形状是正方形、长方形、三角形、菱形、六边形或圆形。
6、如权利要求5所述的倒装焊发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：芯片A和芯片B两个结合在一起的压强范围为10～1000大气压，温度为150～500℃。
7、权利要求5所述的倒装焊发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述的围墙是连续的或者是断续的。
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