[发明专利]纳米粉体的真空热处理方法无效
| 申请号： | 200710050753.3 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101200282A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 贺端威;邹永涛;王江华;常相辉;卢铁城;张杰 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;C04B35/626;C04B35/44;C04B35/10;C04B35/46 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人： | 黄幼陵 |
| 地址： | 610065四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 真空 热处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米粉体真空热处理方法，其特征在于将所述纳米粉体在真空度不低于10-2Pa的真空环境下升温至500～1300℃保温0.5～5小时，然后冷却至室温。
2.根据权利要求1所述的纳米粉体真空热处理方法，其特征在于将所述纳米粉体在真空度不低于10-3Pa的真空环境升温至500～1000℃保温1～5小时，然后冷却至室温。
3.根据权利要求1所述的纳米粉体真空热处理方法，其特征在于将所述纳米粉体在真空度不低于10-3Pa的真空环境升温至500～800℃保温2～5小时，然后冷却至室温。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的纳米粉体真空热处理方法，其特征在于所述纳米粉体为金属氧化物纳米粉体。
5.根据权利要求4所述的纳米粉体真空热处理方法，其特征在于所述金属氧化物纳米粉体为MgAl2O4或TiO2或Al2O3纳米粉体。
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