[发明专利]一种具有红外光生伏特效应的“光敏染料/硅”双层结构无效
申请号: | 200710048818.0 | 申请日: | 2007-04-05 |
公开(公告)号: | CN101055897A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 张祖训;郝纪祥;张盛唐 | 申请(专利权)人: | 成都埃福斯材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0256 | 分类号: | H01L31/0256 |
代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司 | 代理人: | 舒启龙 |
地址: | 610041*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 红外光 伏特 效应 光敏 染料 双层 结构 | ||
1、一种具有红外光生伏特效应的“光敏染料/硅”双层结构,其特征是,其结构式为:
分别代表:
其中R1为H CH3 C2H5 CH3O C2H5O Cl Br I(CH3)2N HO
其中R2,R3为H CH3 C2H5 C3H7 C6H5
其中R4,R5为H CH3 C2H5 C6H5 CH3O C2H5O Cl BrI(CH3)2N HO
其中R6,R7为H CH3O C2H5O
其中R8为H CH3O C2H5O Cl HO
其中R9为H CH3 C2H5 C6H5 Cl CH3O C2H5O HO
其中R10为H CH3 C2H5
其中R11R12为H CH3 C2H5 C6H5 Cl CH3O C2H5On=1,2,3,4,5……正整数
n=1,2,3,4,5……正整数
②G1,G2分别代表H CH3 C2H5 C3H7 C4H9 C6H5 C6H5O CH3O
C6H5S C6H5NH Cl Br
③n=0,1;m=0,1
④L代表乙撑基取代乙撑基丙撑基取代丙撑基
⑤X-代表负离子
⑥A代表CH2CHCH2O
B代表CH2CHSi(OR’)2O R’为CH3、C2H5
在AnBm中,n,m可均等于零,亦可n为零m为壹或者n为壹m为零
⑦R代表烷基,取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基。
2、根据权利要求1所述一种具有红外光生伏特效应的“光敏染料/硅”双层结构,其特征是,所述结构式中的硅是单晶硅、或多晶硅或非晶硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的