[发明专利]一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法

说明书

技术领域：

本发明涉及太阳能电池的减反射膜，特别是一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法。

背景技术：

以前所使用的普遍方法是采用PECVD(高温气相化学沉积)，直接在扩散完成后的硅片表面上进行氮化硅沉积，氮化硅相对于较早的TiO₂有明显的改善，因为氮化硅膜中富含[H⁺]键，可以捕获因表面结构处理所产生缺陷的电子，减少表面复合中心的数量，提高太阳能电池的输出电流，但是由于[H⁺]键不是稳定结构，容易脱离硅片表面，[H⁺]键脱离所产生的地方造成缺陷，影响太阳能电池的性能，直观地从数据说，这就是单层氮化硅减反射膜所造成太阳能电池片输出功率易衰减的主要原因。

发明内容：

本发明的目的在于提供一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法，主要解决上述现有单层减反射膜的电池片，功率不稳定，容易衰减的技术问题，经过双层减反射膜处理，太阳能电池的输出功率的稳定性有了明显的提高。

为解决上述问题，本发明是这样实现的：

一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于它包括如下步骤：

第一步，湿氧，即在高温下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜；

第二步，PECVD沉积，即在第一步中做好的二氧化硅膜上进行氮化硅沉积。

所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该湿氧工艺的操作流程是：

(1)将扩散好后的硅片放入扩散炉中，等温度升至指定温度；

(2)开始通入氧气，氧气经过去离子水的容器后，将水带入炉体内部；

(3)等反应结束后，将其取出即可；

该湿氧工艺中的主要工艺参数是：

氧气流量：1.5—1.7L/min；

温度：500℃—700℃；

时间：4—6min。

所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该湿氧工艺中的优选工艺参数是：

氧气流量：1.6L/min；

温度：600℃；

时间：4—6min。

所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该PECVD沉积工艺的具体操作步骤是：

(1)进舟；

(2)慢抽真空；

(3)快抽真空；

(4)调压，看炉管内部压力是否稳定；

(5)备用1，预热硅片；

(6)检漏；

(7)调压，检漏后第一次调压；

(8)调压，检漏后第二次调压；

(9)淀积，试起辉；

(10)淀积，开始反应；

(11)淀积，抽内部反应气体；

(12)清洗，通氮气；

(13)清洗，关闭反应气体，继续通氮气；

(14)抽真空，关闭所有阀门；

(15)充氮，恢复到大气状态；

(16)退舟，取片；

该PECVD操作工艺的主要工艺参数是：

硅烷：氨气＝1：6—1：8；

温度：360℃—440℃；

时间：12—13min。

所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该PECVD操作工艺的优选工艺参数是：

硅烷：氨气＝1：7；

温度：400℃；

时间：12—13min。

藉由上述方法，本发明与现有技术相比具有如下优点：

1、本发明方法中的双层减反射膜大大地增加了入射光在硅片表面反射的次数，进而增加了硅片表面对光子吸收的几率，提高了太阳能电池的输出电流。

2、本发明方法中的双层减反射膜增加膜的均匀性。

具体实施方式：

本发明提供了一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其具体工艺步骤可参阅如下实施例。

实施例一：一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法，具体步骤是：

第一步：湿氧，即先在扩散好后的硅片表面进行湿氧工艺，所谓湿氧工艺就是在高温下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜。

具体步骤如下：

1.将扩散好后的硅片放入扩散炉中，等温度升至指定温度；

2.开始通入氧气，氧气经过去离子水的容器后，将水带入炉体内部；

3.等反应结束后，将其取出即可。

湿氧操作工艺的主要工艺参数是：

氧气流量：1.5—1.7L/min，最佳值：1.6L/min；

温度：500℃—700℃，最佳值：600℃；