[发明专利]一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法

权利要求书

1、一种太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于它包括如下步骤：

第一步，湿氧，即在高温下通入水汽，在硅片表面生成二氧化硅膜；

第二步，PECVD沉积，即在第一步中做好的二氧化硅膜上进行氮化硅沉积。

2、根据权利要求1所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该湿氧工艺的操作流程是：

(1)将扩散好后的硅片放入扩散炉中，等温度升至指定温度；

(2)开始通入氧气，氧气经过去离子水的容器后，将水带入炉体内部；

(3)等反应结束后，将其取出即可；

该湿氧工艺中的主要工艺参数是：

氧气流量：1.5—1.7L/min；

温度：500℃—700℃；

时间：4—6min。

3、根据权利要求2所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该湿氧工艺中的优选工艺参数是：

氧气流量：1.6L/min；

温度：600℃；

时间：4—6min。

4、根据权利要求1或2或3所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该PECVD沉积工艺的具体操作步骤是：

(1)进舟；

(2)慢抽真空；

(3)快抽真空；

(4)调压，看炉管内部压力是否稳定；

(5)备用1，预热硅片；

(6)检漏；

(7)调压，检漏后第一次调压；

(8)调压，检漏后第二次调压；

(9)淀积，试起辉；

(10)淀积，开始反应；

(11)淀积，抽内部反应气体；

(12)清洗，通氮气；

(13)清洗，关闭反应气体，继续通氮气；

(14)抽真空，关闭所有阀门；

(15)充氮，恢复到大气状态；

(16)退舟，取片；

该PECVD操作工艺的主要工艺参数是：

硅烷：氨气＝1：6—1：8；

温度：360℃—440℃；

时间：12—13min。

5、根据权利要求4所述的太阳能电池的双层减反射膜加工方法，其特征在于该PECVD操作工艺的优选工艺参数是：

硅烷：氨气＝1：7；

温度：400℃；

时间：12—13min。