[发明专利]一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法

说明书

技术领域

本发明涉及版图布图领域，尤其涉及一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法。

背景技术

在半导体制造领域，在半导体器件的芯片图形布图好后，还需要经过版图布图将该芯片图形转换为可直接进行光罩制造的版图，然后依照依照所布图出的版图制造光罩，之后依照该光罩进行半导体器件的制作。上述将芯片图形转换为版图的过程中，需要考虑依照该版图制作的光罩在光刻机上进行曝光时会遇到工艺窗口过小等工艺问题。例如在进行半导体器件中金属层的版图布图时，平行金属导线图形对间的间距过小会导致工艺窗口过小而无法无变形的光刻出金属导线对，此时就需要使用选择尺寸法(Selecting Sizing Approach；简称SSA)来调整平行金属导线图形对间的间距以增大工艺窗口来确保无变形的光刻出该平行金属导线图形对，在通过SSA调整平行金属导线图形对间的间距过程中，会相应的缩小平行金属导线图形的宽度，此时连接在该平行金属导线图形上的接触孔就会因平行金属导线图形的变窄而出现部分裸露在平行金属导线图形外的状况，此时会造成接触电阻增大进而影响半导体器件的电性能。

因此，如何提供一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法以在不影响半导体器件性能的前提下增大工艺窗口，已成为业界亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，通过所述方法可增大后续光刻时的工艺窗口，进而可大大提高半导体器件的性能。

本发明的目的是这样实现的：一种可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，用于供使用者使用版图布图软件进行金属层的版图布图，该金属层具有多条平行的金属导线，该多条平行的金属导线上连接有接触孔，该版图布图方法包括以下步骤：(1)放置金属层对应的金属导线图形，其中，该金属导线图形包括多条平行的金属导线对应的平行金属导线图形；(2)搜寻出间距小于最小光刻容许间距的平行金属导线图形对；(3)通过调整所搜索出的平行金属导线图形对中任一根或两根的宽度来将该平行金属导线图形对的间距调整至最小光刻容许间距；其特征在于，该方法还包括步骤(4)在进行宽度调整的平行金属导线图形的边缘上设置恰遮蔽与该平行金属导线连接的接触孔的遮蔽图形。

在上述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法中，使用该金属层版图对应的光罩进行光刻时，间距不小于该最小光刻容许间距的平行金属导线图形对被无变形的光刻出，间距小于该最小光刻容许间距的平行金属导线图形对产生变形。

在上述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法中，该最小光刻容许间距为130纳米。

在上述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法中，该遮蔽图形为长方块。

在上述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法中，该版图布图软件为L-Edit版图布图软件。

在上述的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法中，该版图布图软件为Cadence版图布图软件。

与现有技术中在通过调整平行金属导线图形对的宽度来增大其工艺窗口时会造成与该被调整宽度的平行金属导线相连的接触孔有一部分未被金属导线遮蔽相比，本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法在通过调整平行金属导线图形对的宽度来增大其工艺窗口后，还在进行宽度调整的平行金属导线图形的边缘上设置恰遮蔽与该平行金属导线连接的接触孔的遮蔽图形，于是避免了接触孔的部分裸露，另外可大大提高了工艺窗口和半导体器件的性能。

附图说明

本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法由以下的实施例及附图给出。

图1为本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法的流程图；

图2为完成图1中的步骤S10后金属层版图的示意图；

图3为完成图1中的步骤S12后金属层版图的示意图；

图4为完成图1中的步骤S13后金属层版图的示意图。

具体实施方式

以下将对本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法作进一步的详细描述。

本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法，用于供使用者使用版图布图软件进行金属层的版图布图，所述金属层具有多条平行的金属导线，所述多条平行的金属导线上连接有接触孔。在本实施例中，所述版图布图软件为L-Edit或Cadence版图布图软件。

参见图1，本发明的可增大工艺窗口的金属层版图布图方法首先进行步骤S10，放置金属层对应的金属导线图形，其中，所述金属导线图形包括多条平行的金属导线对应的平行金属导线图形。