[发明专利]一种可提高刻蚀性能的光刻方法

权利要求书

1.一种可提高刻蚀性能的光刻方法，其中，光刻在刻蚀前进行，且光刻在对应的光刻机台中进行，该光刻机台具有设定模块和光刻模块，该设定模块用于设定边缘图形实际成像位置偏离其正常成像位置的边缘图形预偏值，该光刻模块依照所设定的边缘图形预偏值对晶圆进行光刻，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)依据刻蚀后的刻蚀图形统计出边缘图形偏离其正常刻蚀成形位置的统计偏移值；(2)依据该统计偏移值且通过设定模块设定边缘图形预偏值；(3)该光刻模块依照该边缘图形预偏值进行光刻。

2.如权利要求1所述的可提高刻蚀性能的光刻方法，其特征在于，当该边缘图形预偏值为正时，通过光刻模块光刻出的该边缘图形实际成像位置偏离其正常成像位置且向晶圆中心偏移，当该边缘图形预偏值为负时，该边缘图形实际成像位置偏离其正常成像位置且向晶圆边缘偏移。

3.如权利要求1所述的可提高刻蚀性能的光刻方法，其特征在于，在步骤(1)中，当边缘图形偏离其正常刻蚀成形位置且向晶圆中心偏移时，该统计偏移值为正，反之为负。

4.如权利要求1所述的可提高刻蚀性能的光刻方法，其特征在于，刻蚀在等离子体干法刻蚀机台中进行。

5.如权利要求4所述的可提高刻蚀性能的光刻方法，其特征在于，在步骤(1)中，统计出经该等离子体干法刻蚀机台刻蚀出的边缘图形的统计偏移值为正10纳米。

6.如权利要求5所述的提高刻蚀性能的方法，其特征在于，在步骤(2)中，该边缘图形预偏值等于负10纳米。

7.如权利要求1所述的可提高刻蚀性能的光刻方法，其特征在于，边缘图形的正常成像位置为该边缘图形预偏值为零时该边缘图形的成像位置。

8.如权利要求1所述的可提高刻蚀性能的光刻方法，其特征在于，边缘图形的正常刻蚀成形位置为等离子体在晶圆边缘无反射时边缘图形的刻蚀成形位置。