[发明专利]氮化硅薄膜及接触刻蚀停止层的形成方法无效
| 申请号： | 200710046213.8 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101393869A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 刘明源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;C23C16/34;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 接触 刻蚀 停止 形成 方法 | ||
1、一种氮化硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括步骤：
将衬底放置于沉积室中；
将高频射频电源设置在450至500W的范围内；
将沉积室内通入的氮气流量设置在6000至10000sccm之间；
在沉积室内通入氮气和反应气体；
启动所述高频射频电源，开始氮化硅薄膜的沉积。
2、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述反应气体包括硅烷和氨气。
3、如权利要求2所述的形成方法，其特征在于：所述硅烷的流量在30至40sccm之间。
4、如权利要求2所述的形成方法，其特征在于：所述氨气的流量在70至90sccm之间。
5、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述沉积室的压力在6至10Torr之间。
6、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述沉积室内温度设置在380至420℃之间。
7、一种接触刻蚀停止层的形成方法，其特征在于，包括步骤：
将已形成栅极结构的衬底放置于沉积室内；
将高频射频电源设置在450至500W的范围内；
将沉积室内通入的氮气流量设置在6000至10000sccm之间；
在沉积室内通入氮气和反应气体；
启动所述高频射频电源，开始刻蚀停止层的沉积。
8、如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：所述接触刻蚀停止层为氮化硅层。
9、如权利要求8所述的形成方法，其特征在于：所述反应气体包括硅烷和氨气。
10、如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述硅烷的流量在30至40sccm之间。
11、如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述氨气的流量在70至90sccm之间。
12、如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：所述沉积室的压力在6至10Torr之间。
13、如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：所述沉积室内温度设置在380至420℃之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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