[发明专利]一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法有效
申请号: | 200710045967.1 | 申请日: | 2007-09-14 |
公开(公告)号: | CN101127308A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 高相东;李效民;于伟东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L21/368 | 分类号: | H01L21/368 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 20005*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 室温 条件下 沉积 硫化锌 薄膜 方法 | ||
1.一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法,其特征在于包括下述步骤:
(一)锌源和硫源前驱体的制备
将无机或有机锌盐溶解于去离子水形成溶液,向其中滴加络合剂溶液,得到稳定的锌离子配合物溶液。前驱体中锌离子浓度范围为0.001-1mol/l,锌离子与络合剂的摩尔浓度比范围为1-1/10;
将水溶性无机硫化物完全溶解于去离子水中,即得到硫源前驱体溶液锌离子与硫离子的摩尔浓度比范围为0.5-5;
(二)衬底准备
选用表面光滑的无机或有机材料衬底,表面清洗,烘干;
(三)薄膜生长
(1)将衬底浸渍于锌源前驱体溶液,使锌络离子吸附在衬底表面,持续时间10-300秒,
(2)取出衬底在去离子水中进行超声辐照,持续时间10-300秒,
(3)将衬底转移到硫源前驱体溶液,使衬底表面吸附的锌络离子与硫离子反应,并进行硫离子的吸附,持续时间10-300秒,
(4)取出衬底在去离子水中进行超声辐照,移除表面可能存在的大颗粒,持续时间10-300秒,
将步骤(1)-(4)重复进行30-200次,即可在衬底上获得具有具有高透光率的致密ZnS薄膜。
2.按权利要求1所述的一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法,其特征在于所述的无机或有机锌盐包括硫酸锌、硝酸锌、氯化锌、醋酸锌。
3.按权利要求1所述的一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法,其特征在于所述的络合剂包括氨水、乙二胺、三乙醇胺、EDTA。
4.按权利要求1所述的一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法,其特征在于所述的硫化物包括硫化钠、硫化钙、硫化钾、硫化铵等。
5.按权利要求1所述的一种室温条件下沉积非晶硫化锌薄膜的方法,其特征在于所述的衬底可为普通玻璃、导电玻璃、蓝宝石、单晶硅等。
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