[发明专利]干燥装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于干燥晶圆的干燥装置，特别涉及晶圆清洗后的干燥装置。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，清洗是其中最重要和最频繁的步骤之一。一般来说，在半导体器件的整个制造工艺中，高达20％的步骤为清洗的步骤。清洗的目的是为了避免微量离子和金属杂质对半导体器件的污染，以至于影响半导体器件的性能和合格率。

而在晶圆清洗之后，为了避免晶圆上残留的水印或是残留清洗液反应物对于后续制程产生影响，一般都会对于晶圆进行干燥。例如美国专利号为5996594的美国专利所公开的，在晶圆清洗后将晶圆与旋转头固定，利用离心力来进行旋转式干燥。

目前用于旋转式干燥的干燥装置如图1所示，包括，旋转台1、连接旋转台1位于旋转台1上方用于放置晶圆的晶圆架2。当进行晶圆干燥时，旋转台启动带动晶圆架2旋转，通过旋转产生的离心力使晶圆3表面干燥。然而，在目前的旋转式晶圆干燥工艺中发现，由于目前使用的旋转台1的转速较低，在完成干燥的晶圆上还能够发现残留的水份，并且干燥的时间也较长，晶圆干燥的效率不高。而如果使得旋转台1的转速很快，则会影响晶圆干燥过程中的稳定性，甚至有可能会损坏晶圆，并且旋转台1的转速过快也会导致旋转台1耗损较快，增加了设备成本。

发明内容

本发明提供了一种干燥装置，解决现有技术干燥装置在对晶圆干燥之后，晶圆表面仍残留水份，并且干燥时间长，晶圆干燥效率不高的问题。

为解决上述问题，本发明提供了一种干燥装置，包括，旋转台、连接所述旋转台位于旋转台上方用于放置晶圆的晶圆架以及与所述晶圆架相对，用于向所述晶圆吹气的干燥辅助装置。

可选的，所述干燥辅助装置包括气体供应装置以及连接气体供应装置并位于晶圆架上方的气体释出装置，所述气体供应装置和气体释出装置通过传输管道连接。

可选的，所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的加热装置以及连接加热装置并位于晶圆架上方的气体释出装置，所述气体供应装置、加热装置和气体释出装置通过传输管道连接。

可选的，所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的过滤器以及连接过滤器位于晶圆架上方的气体释出装置，所述气体供应装置、过滤器、气体释出装置通过传输管道连接。

可选的，所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的过滤器、连接过滤器的加热装置、连接加热装置并位于晶圆架上方的气体释出装置，所述气体供应装置、过滤器、加热装置、气体释出装置通过传输管道连接。

可选的，所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的加热装置、连接加热装置的过滤器、连接过滤器并位于晶圆架上方的气体释出装置，所述气体供应装置、加热装置、过滤器、气体释出装置通过传输管道连接。

可选的，所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的第一过滤器、连接第一过滤器的加热装置、连接加热装置的第二过滤器、连接第二过滤器并位于晶圆架上方的气体释出装置，所述气体供应装置、第一过滤器、加热装置、第二过滤器和气体释出装置通过传输管道连接。

与现有技术相比，上述方案具有以下优点：上述方案干燥装置通过增设干燥辅助装置向晶圆吹气，使得残留的水份能够地从晶圆表面去除，不但避免了晶圆干燥之后表面残留水份，并且减少了晶圆干燥的时间，因而提高了晶圆干燥的效率。

附图说明

图1是现有干燥装置示意图；

图2是本发明实施例1干燥装置示意图；

图3是本发明实施例2干燥装置示意图；

图4是本发明实施例3干燥装置示意图；

图5是本发明实施例4干燥装置示意图；

图6是本发明实施例5干燥装置示意图；

图7是本发明实施例6干燥装置示意图。

具体实施方式

本发明干燥装置通过增设干燥辅助装置向晶圆吹气，使得残留的水份能够地从晶圆表面去除，不但避免了晶圆干燥之后表面残留水份，并且减少了晶圆干燥的时间，因而提高了晶圆干燥的效率。

实施例1

如图2所示，本发明实施例干燥装置包括，

旋转台10；

连接旋转台10位于旋转台10上方，用于放置晶圆30的晶圆架20；

与晶圆架20相对，用于向晶圆30表面吹气的干燥辅助装置，所述干燥辅助装置包括气体供应装置40、连通气体供应装置40的传输管道41以及连接传输管道41并位于晶圆架20上方的气体释出装置42。