[发明专利]降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种氮化物只读存储器(Nitride Read Only Memory，NROM)的编程方法。尤其涉及一种可降低NROM存储器的编程干扰的方法。

背景技术

图1是一种氮化物只读存储器(以下称NROM存储器)单元的半导体结构图。该存储器单元100包括一基体101、一多晶硅栅极层102、一第一源/漏极层103、一第二源/漏极层104，在栅极层102与基体101之间具有一三层结构105，此三层结构105进一步包括氧化物层105a、氮化物层105b和氧化物层105c。此外，该三层结构105中具有2个可充电区域106a、106b，其中每个充电区域106定义一个二进制位。当对基体101、栅极层102、第一源/漏极层103和第二源/漏极层104施加适当的电压时，便可分别形成第一方向(如图1中的水平方向)的电场和第二方向(如图1中的垂直方向)的电场，以将充电区域106a、106b充电到一定电压。由于NROM结构的对称性，一般以施加低电压的一极为源极，施加高电压的一极为漏极。举例来说，若对第一源/漏极层103施加低电压，将其视为源极，而第二源/漏极层104施加高电压，将其视为漏极，相应地，被充电的区域为106b。反之亦然，而被充电的区域是106a。

NROM单元适合构成一阵列结构，以作为非易失性存储器(Non-volatilememory)。图2是一种包含NROM单元的非易失性存储器的阵列结构，如图2所示，该阵列结构包括一NROM单元阵列、多条字线(Word Line)WL1～WLn+1和多条位线(Bit Line)BL1～BLm(图中示出5条)，其中多条字线WL1～WLn+1连接各行NROM单元的栅极g，多条位线BL1～BLm连接各列NROM单元的第一源/漏极或第二源/漏极。每个NROM单元具有两个存储位，以NROM单元201为例，其具有存储位201a和存储位201b。

对上述存储阵列的编程时，若需对某个NROM单元编程，则由字线和位线共同选中该NROM单元。仍以NROM单元201为例，以字线WL1和位线BL1和BL2选中此NROM单元，以其第一源/漏极为源极201s，以其第二源/漏极为漏极201d，并施加适当的栅极电压Vg、源极电压Vs、漏极电压Vd、基体偏压(Substrate Bias)Vb使其存储位201b充电(或放电)达到某一电压。然而此编程过程中存在编程干扰的问题。举例来说，当只对选中的NROM单元201编程时，由于栅极电压Vg被施加于整条字线WL1，这些电压不仅施加于选中的NROM单元201，并且会施加于同一字线的未选中NROM单元(例如NROM单元211)，此外，漏极电压Vd不仅施加于NROM单元201的漏极201d，也施加于NROM单元211的漏极211d，而虽然NROM单元211的源极211s处于一悬空状态，但其仍然具有一定的电压，这就使NROM单元211的存储位211a被错误地影响(充电或放电)而具有一个不正常的电压，这些由于字线导致的错误干扰称为“WL干扰”(字线干扰)。需要指出的是，无论该相邻的NROM单元211是否已被编程，即无论其处于本原(native)状态(即未编程)或是已编程(programmed)状态，WL干扰都会对其产生影响。

发明内容

因此，本发明所要解决的技术问题是提供一种降低NROM存储器的编程干扰的方法，以降低WL干扰。

本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，用以降低氮化物只读存储器的字线干扰，该氮化物只读存储器具有一存储单元阵列，该阵列中的存储单元的栅极连接多条字线，该阵列中的存储单元的源极或漏极连接多条位线，该方法包括以下步骤：对选中的存储单元编程；与此同时，对与选中的存储单元相邻的未选中单元的悬空的一端施加一特定的源极电压，该源极电压是根据对字线干扰的容忍度，从包含存储单元的源极电压与字线干扰的对应关系的表格中选取，该字线干扰是以该未选中单元的电压变动量来衡量。

上述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法中，对选中的存储单元编程的步骤进一步包括：通过一字线施加一栅极电压至选中的存储单元的栅极，以及通过两位线分别施加一源极电压和一漏极电压至选中的存储单元的源极和漏极。

上述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法中，该相邻的未选中单元的悬空的一端为源极，该源极电压是通过与该源极相连的一位线施加。

上述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，还包括测量一组源极电压与字线干扰的对应关系，以预先建立该表格。