[发明专利]降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法有效
| 申请号： | 200710044972.0 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101369454A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陈德艳;缪威权;陈良成;刘鉴常 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 氮化物 只读存储器 编程 干扰 方法 | ||
1.一种降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，用以降低氮化物只读存储器的字线干扰，该氮化物只读存储器具有一存储单元阵列，该阵列中的存储单元的栅极连接多条字线，该阵列中的存储单元的源极或漏极连接多条位线，其特征在于，该方法包括以下步骤：
a.对选中的存储单元编程；以及
b.在步骤a的同时，对与选中的存储单元相邻的未选中单元的悬空的一端施加一特定的源极电压，该源极电压是根据对字线干扰的容忍度，从包含存储单元的源极电压与字线干扰的对应关系的表格中选取，该字线干扰是以该未选中单元的电压变动量来衡量。
2.如权利要求1所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，该步骤a进一步包括：通过一字线施加一栅极电压至选中的存储单元的栅极，以及通过两位线分别施加一源极电压和一漏极电压至选中的存储单元的源极和漏极。
3.如权利要求1所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，该相邻的未选中单元的悬空的一端为源极，该源极电压是通过与该源极相连的一位线施加。
4.如权利要求1所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，还包括测量一组源极电压与字线干扰的对应关系，以预先建立该表格。
5.如权利要求4所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，预先建立该表格的步骤包括：
以一编程模式对一存储单元进行编程，检测其存储位电压；
以一干扰模式对该存储单元施加电压，其中选择一组不同的源极电压，并检测该存储单元在不同的源极电压作用下，其存储位电压的变动量；
建立该组源极电压与该存储单元的存储位电压的变动量的对应关系表。
6.如权利要求1所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，该相邻未选中单元的状态为已编程。
7.如权利要求1所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，该源极电压为正电压。
8.如权利要求1所述的降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，其特征在于，该源极电压介于0.8～1.3V之间。
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