[发明专利]栅极及半导体器件的制造方法、用于制造栅极的结构

权利要求书

1、一种栅极的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有栅层的半导体衬底；

在所述栅层上形成第一材料层；

在所述第一材料层上形成第二材料层；

图形化所述第二材料层，形成第二材料层图案；

在所述第二材料层图案侧壁形成侧壁层；

去除所述第二材料层图案；

刻蚀未被所述侧壁层覆盖的第一材料层和栅层，形成栅极。

2、如权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述第一材料层为一层或多层。

3、如权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述第一材料层为有机材料层和氧化硅层的堆叠结构，其中，所述有机材料层位于氧化硅层下方。

4、如权利要求3所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述有机材料层为光刻胶或有机抗反射材料。

5、如权利要求3所述的栅极的制造方法，其特征在在于：所述氧化硅层可以是低温氧化层。

6、如权利要求1至5任一权利要求所述的栅极的制造方法，其特征在于，形成侧壁层的步骤如下：

在所述第一材料层上、第二材料层图案表面形成介质层；

去除所述第一材料层上和第二材料层图案上的介质层，并保留所述第二材料层图案侧壁的介质层。

7、如权利要求6所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述第二材料层与所述第一材料层、介质层材料不同。

8、如权利要求6所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述介质层为氮化硅。

9、如权利要求1至5任一权利要求所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述第二材料层可以是氧化硅、碳化硅、多晶硅、非晶硅、单晶硅、氮氧化硅、碳氮硅化合物中的一种。

10、如权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于，进一步包括：去除所述栅极上的第一材料层和侧壁层材料。

11、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上具有第三材料层；

在所述第三材料层上形成第一材料层；

在所述第一材料层上形成第二材料层；

图形化所述第二材料层，形成第二材料层图案；

在所述第二材料层图案侧壁形成侧壁层；

去除所述第二材料层图案；

刻蚀未被所述侧壁层覆盖的第一材料层和第三材料层。

12、如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述第一材料层为一层或多层。

13、如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述第一材料层为有机材料层和氧化硅层的堆叠结构，其中，所述有机材料层位于所述氧化硅层下方。

14、如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述有机材料层为光刻胶或有机抗反射材料。

15、如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述氧化硅层可以是低温氧化层。

16、如权利要求11所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述侧壁层为氮化硅。

17、一种用于形成栅极的结构，其特征在于，包括：

具有栅层的半导体衬底；

所述栅层上的第一材料层；

所述第一材料层上的侧壁层。