[发明专利]一种低粗糙度硅抛光片的加工方法

说明书

技术领域：

本发明涉及物理领域，尤其涉及半导体材料，特别涉及硅抛光片，具 体地是一种低粗糙度硅抛光片的加工方法。

背景技术：

在当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中，95％以上的半 导体器件是用硅材料制作的，集成电路的99％以上是用硅制作的。相对其 它半导体材料而言，硅具有廉价丰富、易于生长成大尺寸高纯度晶体，以 及热性能与机械性能优良等优点。目前世界上硅单晶片的年产量已达60 亿平方英寸，其中全球8″硅片的年需要量已超过29亿平方英寸，约合5800 吨单晶。

硅片大直径化是集成电路技术线宽变细、元件数量增多、管芯面积增 大和降低成本的需要，是硅材料的发展趋势。当今，国外IC生产线主流 产品采用8″硅晶片，并且正在向12″硅晶片过渡。近年来，SiGe/Si(Si外延 材料)发展很快，在红外探测器、光波导等方面也有潜在应用；制造高速、 抗辐照、高温低压和低功耗芯片的关键技术之一SOI(绝缘衬底上的硅材 料)晶片制造技术取得了突飞猛进的进步，很有发展前景。目前，国外3″SiC 单晶已有样品，2″4HS—SiC、6H—SiC晶片已商品化。

一般CZ(Czchralski)硅抛光片，往往都是对表面颗粒，表面缺陷等 提出要求，但是都没有对其表面粗糙度提出更高的要求，一般IC用硅抛 光片的表面粗糙度在8-10，由于硅抛光片的表面粗糙度高，使得硅抛光 片的性能不稳定，电阻率不均匀，硅抛光片的薄膜的附着强度低。

发明内容：

本发明的目的在于提供一种低粗糙度硅抛光片的加工方法，所述的这 种低粗糙度硅抛光片的加工方法要解决现有技术中的硅抛光片性能不稳 定、电阻率不均匀和硅抛光片的薄膜附着强度低的技术问题。

本发明的这种低粗糙度硅抛光片的加工方法，包括一个利用抛光机对 硅单晶片进行抛光处理的过程，所述的利用抛光机对硅单晶片进行抛光处 理的过程中顺序包括有一个粗抛的过程、一个中抛的过程和一个精抛的过 程，其中，在所述的精抛的过程中，利用抛光布对所述的硅单晶片进行抛 光加工，在所述的抛光布和硅单晶片的表面之间引进精抛浆，所述的精抛 浆由纯水和活化剂组成，所述的纯水和活化剂的重量百分比在1：25～35 之间，抛光加工在26～30摄氏度的温度条件下进行，精抛浆每分钟的流 量为300～800ml，抛光机的转速为50～100rpm，抛光压力为0.10～ 0.16Mpa，抛光机中抛盘的转速为60～80rpm，抛光加工的时间为5～ 10min。

进一步的，所述的抛光布采用RODEL205RVC。

进一步的，所述的精抛浆中，纯水和活化剂的重量百分比在1：30 之间。

进一步的，所述的活化剂是FA/O、O_II—7((C₁₀H₂₁—C₆H₄—O—CH₂CH₂O) 7—H)、或者O_II—10((C₁₀H₂₁—C₆H₄—O—CH₂CH₂O)10—H)、或者O—20((C_12-18H_25-37—C₆H₄O—CH₂CH₂O)70—H)，或者是FA/O、O_II—7((C₁₀H₂₁—C₆H₄—O—CH₂CH₂O)7—H)、O_II—10((C₁₀H₂₁—C₆H₄—O—CH₂CH₂O)10—H)和O —20((C_12-18H_25-37—C₆H₄—O—CH₂CH₂O)70—H)的任意组合。