[发明专利]一种低粗糙度硅抛光片的加工方法

权利要求书

1.一种低粗糙度硅抛光片的加工方法，包括一个利用抛光机对硅单 晶片进行抛光处理的过程，所述的利用抛光机对硅单晶片进行抛 光处理的过程中顺序包括有一个粗抛的过程、一个中抛的过程和 一个精抛的过程，其特征在于：在所述的精抛的过程中，利用抛 光布对所述的硅单晶片进行抛光加工，在所述的抛光布和硅单晶 片的表面之间引进精抛浆，所述的精抛浆由纯水和活化剂组成， 所述的纯水和活化剂的重量百分比在1∶25～35之间，抛光加工 在26～30摄氏度的温度条件下进行，精抛浆每分钟的流量为300～ 800ml，抛光机的转速为50～100rpm，抛光压力为0.10～0.16Mpa， 抛光机中抛盘的转速为60～80rpm，抛光加工的时间为5～10min。

2.如权利要求1所述的低粗糙度硅抛光片的加工方法，其特征在于： 所述的抛光布采用RODEL 205 RVC。

3.如权利要求1所述的低粗糙度硅抛光片的加工方法，其特征在于： 所述的精抛浆中，纯水和活化剂的重量百分比为1∶30。

4.如权利要求1所述的低粗糙度硅抛光片的加工方法，其特征在于： 所述的活化剂是FA/O、O_II-7((C₁₀H₂₁-C₆H₄-O-CH₂CH₂O)7-H)、 O_II-10((C₁₀H₂₁-C₆H₄-O-CH₂CH₂O)10-H)和O-20((C₁₂-₁₈H₂₅-₃₇-C₆H₄-O-CH₂CH₂O)70-H)的任意组合。

5.如权利要求1所述的低粗糙度硅抛光片的加工方法，其特征在于： 在进行所述的粗抛的过程之前，对硅单晶片进行倒角加工，在所 述的倒角加工过程中，采用800目+1500目双重砂轮进行倒角。

6.如权利要求1所述的低粗糙度硅抛光片的加工方法，其特征在于： 在进行所述的粗抛的过程之前，对硅单晶片进行碱溶液腐蚀，然 后进行清洗。

7.如权利要求6所述的低粗糙度硅抛光片的加工方法，其特征在于： 所述的碱溶液为KOH或者NaOH水溶液。