[发明专利]半导体测试管理系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体测试管理系统，特别涉及用于晶圆的电路针测和缺陷检测的半导体测试管理系统。

背景技术

在半导体制造过程中，半导体晶圆(wafer)通常经过一系列的制程，如曝光、化学机械抛光、化学气相沉积、蚀刻、晶圆测试、切割、封装等。举例来说，15微米的半导体产品可能经历接近600道处理步骤，其中晶圆测试是半导体产业链中的重要一环，而且是不可或缺的一环，它贯穿于从产品设计开始到完成加工的全过程。

一般的晶圆测试包括电路针测(circuit probe，CP)和缺陷检测。电路针测就是对晶圆1上的每颗晶粒(die)进行电性特性检测，以检测和淘汰晶圆上的不合格晶粒。进行电路针测时，是利用晶圆探针卡的探针刺入晶粒上的接点垫(pad)而构成电性接触，再将经由探针所测得的测试信号送往测试设备做分析与判断，因此可取得晶圆上的每颗晶粒的电性特性测试结果。其中，不合格的晶粒会在电路针测图2(CP map)上标上记号，如图1所示，阴影区域为不合格的晶粒，标有记号的不合格晶粒会被淘汰，以免增加制造成本。接下来是对晶粒缺陷检测，主要是对晶粒表面、位错、界面、偏离化学配比、微粒等缺陷进行检测，然后也对上述存在缺陷的晶粒在缺陷图3(defect map)上标上记号，如图2所示，黑色区域为存在缺陷的晶粒。其中该晶粒缺陷检测需根据缺陷的类型、大小、数量等条件，对晶圆进行多次人工扫描检测，这样才可以检测到各种不同的缺陷，而且还需要进行人工分析，判断哪些缺陷会影响晶粒的性能，其中影响晶粒性能的缺陷再在缺陷图(defect map)标上记号后。最后将晶圆的电路探针图和缺陷图进行重叠对比分析，检查带有记号的晶粒，筛选出存在影响晶粒电性特性或缺陷的不合格晶粒，将这部分晶粒淘汰，最后剩下的晶粒进行封装制成芯片(integated circuit，IC)。

但是，从上述的晶圆测试过程中，我们可以发现上述测试过程步骤较多，程序复杂，且存在很多人工操作，容易产生误差且测试效率低等问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体测试管理系统，该半导体测试管理系统不仅能同时检测晶圆的缺陷，简化测试程序，而且通过计算机操作，提高测试效率。

为了达到所述的目的，本发明提供了1、一种半导体测试管理系统，包括：

电路针测图，记录晶圆的电性特性；

自动缺陷检测装置，检测晶圆的缺陷信息；

存储筛选软件的计算机，筛选软件具有筛选标准对晶圆的缺陷信息进行筛选。

在上述的半导体测试管理系统中，所述的自动缺陷检测装置根据缺陷信息库生成KLAF文件，该KLAF文件包括半导体晶圆的格标识、槽标识，相应的缺陷信号二进制信息。

在上述的半导体测试管理系统中，所述的筛选软件的筛选标准可以根据缺陷的尺寸、类型、数量由操作者定义。

在上述的半导体测试管理系统中，所述的计算机根据筛选结果生成缺陷检测图。

本发明由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：

1.与人工检测晶圆的缺陷相比，本发明采用的自动缺陷检测装置可简化检测程序并提高检测准确度。

2.本发明采用计算机控制，可提高检测效率。

附图说明

本发明的半导体测试管理系统由以下的实施例及附图给出。

图1为电路针测结果示意图；

图2为现有技术的缺陷检测结果示意图；

图3为本发明的半导体测试管理系统示意图；

图4为本发明缺陷检测结果示意图。

图5为最终晶圆测试结果示意图。

具体实施方式

以下将结合附图对本发明的半导体测试管理系统作进一步的详细描述。