[发明专利]高速钢金属表面镀制类金刚石薄膜的方法无效
申请号: | 200710043510.7 | 申请日: | 2007-07-05 |
公开(公告)号: | CN101082118A | 公开(公告)日: | 2007-12-05 |
发明(设计)人: | 马占吉;任妮;武生虎;肖更竭;赵栋才 | 申请(专利权)人: | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/54 |
代理公司: | 上海蓝迪专利事务所 | 代理人: | 徐筱梅 |
地址: | 73003*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高速钢 金属表面 镀制类 金刚石 薄膜 方法 | ||
技术领域
本发明涉及金属材料的表面处理,具体地说是一种在高速钢金属表面镀制类金刚石薄膜的方法。
背景技术
类金刚石(DLC)薄膜由于具有高硬度、低摩擦系数以及化学惰性等性能特点,是提高相对接触运动零件耐磨寿命而进行表面处理的主要材料之一。但类金刚石(DLC)薄膜本身具有较高的内应力,与金属材料的匹配性差,尤其是高速钢,因此很难在这些金属基底材料上镀制附着力高且厚度达1μm以上的类金刚石(DLC)薄膜。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足而提供的一种在高速钢金属表面镀制类金刚石薄膜的方法,它提高了类金刚石(DLC)薄膜与高速钢的金属材料匹配性,适当降低了沉积的类金刚石(DLC)薄膜的内应力,从而克服了高速钢的金属基底材料上类金刚石(DLC)薄膜附着力差和沉积的DLC薄膜厚度小的缺点。
实现本发明目的的技术方案是:一种高速钢金属表面镀制类金刚石薄膜的方法,特点包括下列步骤:
1、将金属工件固定在电弧离子镀膜设备真空室内的工件转盘上并抽真空;
2、将氩气通入真空室,并保持真空度的稳定,然后开启离子源将金属工件表面活化;
3、关闭氩气,将金属工件和真空室之间加载负偏压,并开启钛电弧源使金属工件表面沉积钛过渡层;
4、开启石墨电弧源,设定石墨电弧源的初始放电频率,并控制石墨电弧源每放电一定脉冲数适当提高放电频率使金属工件表面沉积碳化钛过渡层;
5、关闭钛电弧源,控制石墨电弧源的放电脉冲数使金属工件表面沉积类金刚石薄膜。
所述真空室的真空度优于5×10-3Pa。
所述氩气通入真空室时,其真空度稳定在3.2×10-2Pa~4.9×10-2Pa。
所述金属工件和真空室之间加载负偏压为-800V~-1500V。
所述石墨电弧源的初始放电频率设定为16Hz。
所述石墨电弧源的放电脉冲数控制为250000~300000个。
所述离子源的工作电压为2.0kV~3.0kV,工作时间为10min~30min
所述钛电弧源的工作电流为55A~90A,工作时间为2min~10min
所述石墨电弧源每放电一定脉冲数适当提高放电频率是每放电1000~3000个脉冲,放电频率提高8Hz,放电频率升高到32Hz后完成碳化钛过渡层的沉积。
本发明提高了在高速钢金属基底上类金刚石(DLC)薄膜的附着力和厚度,延长了高速钢金属基底表面类金刚石(DLC)薄膜的耐磨损寿命,工艺简单、尤其适用于W18Cr4V、GCr15和TC4等高速钢的金属基底精密活动零件表面耐磨损处理的规模生产。
具体实施方式
实施例1
1、将已加工好材质为TC4的金属另件固定在电弧离子镀膜设备真空室内的工件转盘上并抽真空,其真空度优于5×10-3Pa。
2、通入氩气,保持真空度稳定在3.2×10-2Pa,打开离子源活化金属基底表面,离子源的工作电压为2.0kV,工作时间为30min。
3、关闭氩气,将金属另件和真空室之间加载负偏压为-800V,并打开钛电弧源使金属另件表面沉积钛过渡层,钛电弧源的工作电流为90A,工作时间为2min。
4、开启石墨电弧源,使石墨电弧源的初始放电频率为16Hz,并按石墨电弧源每放电1000~3000个脉冲放电频率提高8Hz调节石墨电弧源的放电频率使金属另件表面沉积碳化钛过渡层,放电频率升高到32Hz后关闭钛电弧源,结束碳化钛过渡层的沉积。
5、控制石墨电弧源的放电脉冲数为300000个,使金属另件表面沉积类金刚石(DLC)薄膜。
实施例2
1、将已加工好材质为W18Cr4V的金属另件固定在电弧离子镀膜设备真空室内的工件转盘上并抽真空,其真空度优于5×10-3Pa。
2、通入氩气,保持真空度稳定在4.9×10-2Pa,打开离子源活化金属基底表面,离子源的工作电压为3.0kV,工作时间为10min;
3、关闭氩气,将金属工另件和真空室之间加载负偏压为-1500V,并打开钛电弧源使金属另件表面沉积钛过渡层,钛电弧源的工作电流为55A,工作时间为10min;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所,未经中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710043510.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:辐射收集器
- 下一篇:制备1,2-二氯乙烷的方法
- 同类专利
- 专利分类