[发明专利]晶片的干燥方法有效
| 申请号： | 200710042136.9 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101329134A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 翟冬梅;代培刚;戚东峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | F26B3/06 | 分类号： | F26B3/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 干燥 方法 | ||
1.一种晶片的干燥方法，其特征在于，包括步骤：
将表面具有光刻胶图形的晶片放置在片架上；
将所述片架置于干燥器水槽内的去离子水中；
向所述干燥器内通入氮气；
提升所述片架；
当所述片架提升至所述晶片完全露出水面后，保持片架静止，并且 继续通入氮气，延长氮气与所述晶片表面的接触时间，且氮气的温度不 会损伤光刻胶，能保持所述光刻胶图形的完整性，所述片架的静止时间 在300至1000秒之间；
停止通入氮气，取出晶片。
2.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于：所述氮气的温度 在80℃到150℃之间。
3.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于：所述氮气的流量 在50L/min至200L/min之间。
4.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于：所述片架的静止 时间在600至700秒之间。
5.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于：当所述片架提升 至所述晶片即将露出水面时，所通入的氮气的流量在100L/min至200 L/min之间。
6.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于：所述片架静止之 前，所述水槽内的去离子水处于流动状态。
7.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于：所述片架静止之 后，排出所述水槽内的去离子水。
8.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于：所述通入氮气相 对于晶片是平行向下通入的，和/或相对于晶片是斜向下通入的。
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