[发明专利]硅基液晶显示器、硅基液晶显示器反射镜面及制作方法

权利要求书

1.一种硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

首先提供带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；

在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；

蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；

在金属层上形成金属氧化层，所述金属氧化层是对金属层表面进行等离子体氧气氧化得到的；

对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。

2.根据权利要求1所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：

等离子体氧气处理金属层表面的温度为240℃～280℃，压力为1.3Torr～1.7Torr。

3.根据权利要求2所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：

氧气流量为2200sccm～2800sccm。

4.根据权利要求2所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：

所述金属层为铝铜合金，其中铝含量为99.5％，铜含量为0.5％。

5.根据权利要求1所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：

所述金属氧化层为氧化铝层。

6.根据权利要求5所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：

所述氧化铝层的厚度为30埃～70埃。

7.根据权利要求1所述硅基液晶显示器反射镜面的制作方法，其特征在于：

所述热处理的温度为400℃～420℃，时间为25分钟～35分钟。

8.一种硅基液晶显示器反射镜面，包括，带有金属层的硅基底，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层，其特征在于，还包括：

金属氧化层，位于金属层上，所述金属氧化层是对金属层表面进行等离子体氧气氧化得到的。

9.根据权利要求8所述硅基液晶显示器反射镜面，其特征在于：所述金属氧化层为氧化铝层。

10.根据权利要求9所述硅基液晶显示器反射镜面，其特征在于：所述氧化铝层的厚度为30埃～70埃。

11.一种硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：

首先提供包含晶体管和电容器的硅基底，在硅基底上依次形成有像素开关电路层、导电层、绝缘层及金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽；

在金属层上形成绝缘介质层且绝缘介质层填充满沟槽；

蚀刻绝缘介质层至露出金属层，形成反射镜面阵列；

在金属层上形成金属氧化层，所述金属氧化层是对金属层表面进行等离子体氧气氧化得到的；

对包含金属层和金属氧化层的硅基底进行热处理。

12.根据权利要求11所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：等离子体氧气处理金属层表面的温度为240℃～280℃，压力为1.3Torr～1.7Torr。

13.根据权利要求12所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：氧气流量为2200sccm～2800sccm。

14.根据权利要求12所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：所述金属层为铝铜合金，其中铝含量为99.5％，铜含量为0.5％。

15.根据权利要求11所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：所述金属氧化层为氧化铝层。

16.根据权利要求15所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：所述氧化铝层的厚度为30埃～70埃。

17.根据权利要求11所述硅基液晶显示器的制作方法，其特征在于：所述热处理的温度为400℃～420℃，时间为25分钟～35分钟。

18.一种硅基液晶显示器，包括，包含晶体管和电容器的硅基底，位于硅基底上的像素开关电路层，位于像素开关电路层上的导电层，位于导电层上的绝缘层及位于绝缘层上的金属层，所述金属层中包含贯穿金属层的沟槽，沟槽内填充满绝缘介质层，其特征在于，还包括：

金属氧化层，位于金属层上，所述金属氧化层是对金属层表面进行等离子体氧气氧化得到的。

19.根据权利要求18所述硅基液晶显示器，其特征在于：所述金属氧化层为氧化铝层。

20.根据权利要求19所述硅基液晶显示器，其特征在于：所述氧化铝层的厚度为30埃～70埃。