[发明专利]芯片封装外引线成型模具有效
申请号: | 200710040985.0 | 申请日: | 2007-05-21 |
公开(公告)号: | CN101312112A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 舒海波;唐智能;蒲光荣;李敏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/60;B21F1/00;H05K13/00;H05K13/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李文红 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 外引 成型 模具 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域,特别涉及一种芯片的薄型小尺寸封装(Thin Small Outline Package,TSOP)外引线成型模具。
背景技术
TSOP封装是在芯片的周围做出引脚,采用表面帖装技术(SurfaceMounting Technology,SMT)将封装后的芯片引脚直接焊接在印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)的表面的技术。TSOP封装具有成品率高、价格便宜等优点,因此得到了广泛的应用。在TSOP封装工艺中,为了实现薄型小尺寸封装,塑封过程中一般采用芯片上引线封装(Lead OnChip,LOC)结构,致使芯片被塑封后芯片上下的塑封用树脂厚度不同,从而导致在塑封后冷却过程中芯片上下的树脂收缩程度不同,引起形成的封装块(Package)产生翘曲(Warpage)。
芯片完成塑封后,外引线需要通过成型模具和冲压头成型,以适合在PCB表面的帖装。图1为现有的一种TSOP封装外引线成型模具的正视图,如图1所示,所述成型模具10具有凹槽11,用于将TSOP封装块咬合。在所述凹槽11的边缘具有外引线压着部12,用于在TSOP封装块外引线成型时压住外引线的根部。然而在使用该成型模具对具有翘曲的TSOP封装块外引线成型时,会将所述封装块压平,使得TSOP封装块在被压平的状态下实现外引线成型,当完成外引线成型后撤去成型模具施加在TSOP封装块上的压力后,该封装块会回复到翘曲的状态,导致成型的外引线与其它基底或基板(例如PCB板)的接触端共面性变差,进而会导致该TSOP封装块帖装在其它基底或基板上时,部分外引线与基底或基板的相应部位未接触而发生断路。
专利号为02246028.4的中国专利公开了一种外引线成型用压着块(即成型模具)。图2和图3为所述的中国专利公开的成型用的压着块的正视图和左视图。如图2和图3,压着块20具有凹槽21和所述凹槽21边缘的外引线压着部22;在所述外引线压着部22上具有一凹形槽23,该凹形槽23与TSOP封装块外引线的翘曲相适应,以减小在外引线成型时所述外引线压着部22与外引线的接触力度,避免将外引线压变形,从而改善成型后外引线的共面性。然而,应用所述外引线成型用压着块对TSOP封装块外引线成型作业时,容易损伤封装块,使其发生断裂而损坏。
发明内容
本发明提供一种芯片封装外引线成型模具,本发明能够使成型后的外引线平坦度较好且不会在成型过程中损伤封装块。
本发明提供的一种芯片封装外引线成型模具,用于具有翘曲的薄型小尺寸封装块外引线成型;包括基本部,所述基本部上具有外引线压着部,所述外引线压着部具有与所述薄型小尺寸封装块外引线接触的接触部,在所述外引线压着部之间形成有用于咬合所述薄型小尺寸封装块的凹槽;其中,所述凹槽的深度等于所述薄型小尺寸封装块被凹槽咬合的表面与外引线之间的最大距离;所述凹槽的深度为凹槽咬合薄型小尺寸封装块之处和外引线压着部的接触部之间的最小距离。
可选的,所述凹槽的深度为0.25至0.29mm。
可选的,所述凹槽的表面为平面。
可选的,所述凹槽表面有凸起,所述凸起的高度小于所述压着部的高度。
可选的,所述凸起为半球形、球缺形、圆柱形、圆台型、棱柱形、棱台形中的一种或组合。
可选的,所述凹槽的中央沿所述薄型小尺寸封装块外引线垂直的方向具有凹陷。
可选的,所述凹陷的横截面为矩形或弧形。
可选的,所述凹陷的深度为0.2至0.4mm。
可选的,所述外引线压着部的横截面为四边形或弧形。
可选的,所述外引线压着部的截面为四边形和弧形的组合,且所述外引线压着部的端部为弧形。
可选的,所述外引线压着部的横截面为四边形,所述四边形的与所述凹槽表面相交的边与所述凹槽表面的夹角为90至120度。
可选的,所述外引线压着部上具有凹形槽。
可选的,所述凹形槽为矩形、弧形中的一种或组合。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造